IRF1010E 3 UNIDADES
$5.277 Neto
IRF1010E MOSFET DE PODER CANAL N
B4D1227
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Descripción
IRF1010E Pines
Posee 3 pines GATE, DRAIN and SOURCE. Segun la sgte. configuracion.
IRF1010E Especificaciones
- Avanzada tecnologia de Procesamiento
- Rango de Avalancha Completo
- Rapido intercambio
- Quinta generacion HEXFET
- Voltaje Maximo pin2(drain): 60V
- Maxima Corriente en DRAIN: 81A
- Maximo pulso de corriente en DRAINt: 330A
- Maximo Voltaje entre GATE y SOURCE:20 V
- Maxima Temperatura: 175ºC
- Maxima Potencia Disipada: 170Watt
Información adicional
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