GT25Q101,Bipolar 1200V, 25A

GT25Q101,Bipolar 1200V, 25A

$7.000 Neto

Gt25q101 Toshiba Igbt To-3p Transistor Bipolar

B7C1310

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Descripción

Fabricante: Descripción del paquete 2-21F1C, 3 PIN
Estado descontinuado
Conexión de caso COLECTOR
Collector Current-Max (IC) 25.0 A
Colector-emisor Voltaje-Máx. 1200.0 V
Configuración SINGLE
Tiempo de caída-Max (tf) 500.0 ns
Puerta-emisor Thr Voltaje-Máx. 6.0 V
Puerta-emisor Voltaje-Máx. 20.0 V
JESD-30 Código R-PSFM-T3
Cantidad de elementos 1.0
Cantidad de terminales 3
Temperatura de funcionamiento-Max 150.0 Cel
Material del cuerpo del paquete PLASTIC / EPOXY
Forma del paquete RECTANGULAR
Estilo de paquete MONTAJE DE BRIDA
Polaridad / Tipo de canal N-CHANNEL
Disipación de energía Ambient-Max 200.0 W
Disipación de potencia-Máx. (Abs) 200.0 W
Estado de calificación no calificado
Rise Time-Max (tr) 600.0 ns
Transistores de BIP con puerta aislada de subcategoría
Montaje superficial NO
Forma terminal A TRAVÉS DEL AGUJERO
Posición terminal SINGLE
Aplicación de transistores CONTROL MOTOR
Transistor Element Material SILICON
Hora de apagado Time-Nom (toff) 800.0 ns
Tiempo de encendido-Nom (ton) 300.0 ns
VCEsat-Max 4.0 V
Característica adicional ALTA VELOCIDAD

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Condition

TD-Gt25q101

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DATASHEET