IRFD110 Pack de 4 UNIDADES
$4.807 Neto
Transistor IRFD110 Mosfet Pequeña Señal CH N 1 A 100 V 1.3 W
B7A14C20
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Descripción
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFD110PBF es un MOSFET de potencia de canal N con combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad.
- Evaluación dinámica dv / dt
- Avalancha repetitiva
- Inserción automática
- Apilable en el extremo
- 175 ° C Temperatura de trabajo
- Conmutación rápida y facilidad de puesta en paralelo
Información Básica
- Drenaje continua Id de corriente: 1 A
- Fuente de drenaje Voltaje Vds: 100 V
- En Resistencia RDS (on): 0.54 ohm
- Temperatura de funcionamiento máxima: 175 ° C
- Temperatura de funcionamiento mínima: -55 ° C
- Disipación de energía Pd: 1.3 W
- RDS (on) Tensión de prueba Vgs: 10 V
- Tensión umbral Vgs Typ: 2V
- Polaridad del transistor N Channel
- Encapsulado: HVMDIP
- 4 Pines
Información adicional
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