FQPF12N60C. Transistor mosfet. 600V. 12A.lote 2 unidades

Descripción

Carasteristicas:

Fabricante: ON Semiconductor

Categoría de producto: MOSFET

Tecnología: Si

Estilo de montaje: Through Hole

Paquete / Cubierta: TO-220-3

Número de canales: 1 Channel

Polaridad del transistor: N-Channel

Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 600 V

Id – Corriente de drenaje continua: 12 A

Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 650 mOhms

Vgs – Tensión entre puerta y fuente: 30 V

Temperatura de trabajo mínima: – 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

Configuración: Single

Dp – Disipación de potencia : 51 W

Modo canal: Enhancement

Altura:16.3 mm

Longitud: 10.67 mm

Serie: FQPF12N60C

Tipo de transistor: N-Channel

Tipo: MOSFET

Ancho: 4.7 mm

Marca: ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia hacia delante – Mín.: 13 S

Información adicional