FQA70N15 ,2unidades MOSFET semiconductor de Potencia

Polaridad de Transistor: Canal N 
Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V 
Corriente de Drenaje Continua Id: 70A 
Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 0.023ohm 
Encapsulado del Transistor: TO-3PN 
Montaje de Transistor: Orificio Pasante 
Tensión Vgs de Prueba Rds(on): 10V 
Tensión Umbral Vgs: 4V 
Disipación de Potencia Pd: 330W 
Número de Pines: 3Pines 
Temperatura de Funcionamiento Máx.: 17
Estándar de Certificación para Automoción: – 
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):

B12C1.2.3C20