2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 66

Tensión colector-emisor (Vce): 650

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.65

Tensión emisor-compuerta (Veg): 30

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Tiempo de elevación: 20

Capacitancia de salida (Cc), pF: 35

Empaquetado / Estuche: TO263

B11C8.9.10.11C84