IRFB38N20D FFB38N20D Transistor mosfet, 43 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB. Pack 3 unidades

Descripción

Especificaciones:

Máxima Temperatura de funcionamiento: +175 °C
Corriente Máxima Continua de Drenaje: 43,3 A
Tipo de Pack : TO-220AB
Disipación de Potencia Máxima: 300000 mW
Tipo de montaje: Pasante
Ancho: 4.83mm
Altura: 16.51mm
Material del transistor: Si
Número de Elementos por Chip: 4
Longitud: 10.67mm
Configuración de transistor: Simple
Brand: Infineon
Serie: HEXFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55 °C
Tensión de umbral de puerta máxima: 5 V
Tensión de umbral de puerta mínima: 3V
Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 54 mΩ
Tensión Máxima Drenador-Fuente: -160 V
Conteo de Pines: 3 NA
Carga Típica de Puerta @ Vgs: 60 nC a 10 V
Modo de Canal: Mejora

Tipo de Canal: No

Información adicional