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SKD 160/16 Puente Rectificador, Trifási...
El SKD 160/16 es un puente rectificador de potencia trifásico SEMIPONT® 4 con carcasa de plástico resistente, terminales de tornillo y placa base grande/aislada. El puente rectificador cuenta con gran capacidad de sobrecorrientes, fácil montaje del chasis y voltaje inverso repetitivo de 1600V.- Voltaje de bloqueo de 1800V
Aplicaciones
Rectificación de red
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2MBI450U4E-120 IGBT MODULE 450A 1200V. F...
Número de Parte: 2MBI450U4E-120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 2715
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 675
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.15
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 8.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 100
Paquete / Cubierta: MODULE
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Tiristor EUPEC PowerBlock TT106N16KOF. 1...
Estos módulos de doble scr vienen en paquetes estándar de la industria que ofrecen tres circuitos diferentes. Los módulos se pueden usar individualmente o como bloques de construcción de control de potencia. Su alta eficiencia térmica asegura una larga vida útil y un rendimiento confiable. Seis tamaños de paquete diferentes permiten una corriente de salida máxima de 570 amperios para módulos scr estándar y 200 amperios para versiones de conmutación rápida. Los voltajes de bloqueo están disponibles hasta 3600 voltios para scr estándar y 1300 voltios para módulos de conmutación rápida. Los tiempos de conmutación son tan bajos como 18 microsegundos.
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GD400HFT120C2SN Modulo IGBT 1200V 400A. ...
MODULO IGBT GD400HFT120C2SN 1200V 400A
BILC14
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SKIIP513GB173CT Modulo IGBT. SEMIKRON
Modulo IGBT SEMIKRON SKIIP 513GB173CT
BILA110
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SKM300GB128D IGBT. Semikron
Módulo SKM300GB128D, SEMIKRON IGBT MODULE 1.2KV 370A
BILE28
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SKM400GAL12E4, Módulo IGBT 618 A, 1200 ...
Modulo IGBT SKM400GAL12E4 Simple 618a 1.200v
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SKM400GB12E4, Módulo IGBT Doble, 616 A,...
Modulo IGBT SMK400GB12E4 616A 1.200V
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FM600TU-2A Modulo Mosfet de alta potenci...
El FM600TU-2A es un módulo MOSFET de alta potencia de canal N fabricado por Mitsubishi Electric, diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de baja tensión y alta corriente. Este módulo consta de 6 conmutadores MOSFET con bajo RDS (ENCENDIDO) y un diodo de cuerpo de recuperación rápida para producir una baja pérdida. Todos los componentes e interconexiones están aislados de la placa base del disipador de calor. Esto ofrece un montaje simplificado del sistema y gestión térmica.
Bi0
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FZ2400R17KF6C_B2 Modulo IGBT 1700V
FZ2400R17KF6C_B2 Módulos IGBT N-CH 1.7KV 3.8KA
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