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ICE3B5065P Controlador De Corriente A 650V Lote 2 Unidades
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$5.462 NetoB8B77
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Pack de 3 Unidades FDPF51N25 MOSFET Canal N, 250V, 51A, 60mΩ
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$5.462 NetoEl FDPF51N25 es un MOSFET semiconductor de alto voltaje basado en la tecnología DMOS. Este MOSFET está diseñado para reducir la resistencia y para proporcionar un mejor rendimiento del switching y una mayor fuerza de energía de avalancha.
B8B919
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Circuito Integrado Audio TDF8556AJ Tdf8556a Tdf8556
Vista RápidaCircuito Integrado Audio TDF8556AJ Tdf85...
$5.462 NetoIntegrado de audio
B7D1-212
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UC2845BN 6 UNIDADES
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$5.462 NetoLote 6 Uc2845bn Controlador De Corriente Pwm 1a
B8B244
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GT50J325 IGBT, 50 A 600 V.Toshiba
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$5.490 NetoEl transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, conocido por su alta eficiencia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta simple de los MOSFET con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación de los transistores bipolares al combinar un FET de puerta aislada para la entrada de control y un transistor de potencia bipolar como interruptor, en un solo dispositivo.
B9A5C16
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Diodo P6KE200A Zener Unidireccional 200 V. Pack 10 unidades
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$5.497 NetoDiodo P6KE200A zener supresor de voltaje transitorio unidireccional. Está diseñado para proteger los componentes sensibles de altos voltaje. El diodo también tiene una excelente capacidad de sujeción, alta capacidad de alto voltaje, baja impedancia zener y tiempo de respuesta rápida. Está perfectamente adaptado para su uso en sistemas de comunicación, controles numéricos, controles de proceso, equipos médicos, equipos de oficina, suministros de energía y muchas otras aplicaciones industriales
B7B9-11C60
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Lote 3 Unidades HD74LS273P Flip Flop Tipo D(x8), 5V, 30MHz, DIP20
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$5.504 NetoEl flip-flop tipo D es un elemento de memoria que puede almacenar información en forma de un “1” o “0” lógicos. Este flip-flop tiene una entrada D y dos salidas Q y Q. También tiene una entrada de reloj, que en este caso, nos indica que es un FF disparado por el borde o flanco descendente (ver el triángulo y la pequeña esfera en la entrada en los diagramas inferiores). Si el flip flop se disparara por el borde ascendente sólo aparecería el triángulo (no hay la pequeña esfera).
B1A511
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MJE15033G Transistor PNP -250 V, -8 A. Lote 3 unidades
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$5.515 NetoEl MJE15033G es un transistor de potencia PNP diseñado para su uso como un conductor de alta frecuencia en amplificadores de audio. Gran ancho de banda de ganancia de corriente y alta ganancia de corriente DC.– 62.5 ° C / W Resistencia térmica de unión a ambiente
– 2.5 ° C / W Resistencia térmica de unión a cajaB12B2C20
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TNY268PN (Pack de 4 unidades)
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$5.520 NetoComponente Electrónico categoría Conversor CA/DC 15W 85-265 VAC 19W/230 VAC
- Voltaje de salida: 5.8 V
- Potencia de salida: 15 W
- Tensión de entrada / alimentación – Mín.: 85 VAC
- Tensión de entrada / alimentación – Máx.: 265 VAC
B11D13C92
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AO4606 RM4606S8 Circuito integrado, 2 transistores MOSFET SOIC8.2 Unidades
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$5.540 NetoCircuito integrado
Ref.: AO4606
Codigo: 4606
Tipo: 2 transistores MOS-FET N y P
VDSS: +30V -30V
ID: N= 6A, P= -6,5A
PD: 2+2W
TSTG: -55 a +150ºC
Encapsulado: SOIC-8B12C1086
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Toshiba IGBT GT50JR22 600V,50A
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$5.546 NetoIGBT, Toshiba 600V, 50A
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
B7C11-12C16
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DG309CJ
Vista RápidaDG309CJ
$5.546 NetoLos DG308A / DG309 son interruptores analógicos cuádruples de un solo paso (SPST).
El DG308A está normalmente abierto (SPST, NO), mientras que el DG309 está normalmente cerrado (SPST, NC).
B7A15 44Vista Rápida
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