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SK60GAR123 Modulo IGBT driver motor reve...
SK60GAR123 Modulo IGBT driver motor reversible SIP10 58 A, 1200 V. Semicron
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SK45GH063 Módulo IGBT , Puente H, 45 A,...
SK45GH063 SEMITOP3 Módulo de transistores IGBT multinivel, 45 A máx., 600 V, Orificio pasante
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, conocido por su alta eficiencia y rápida conmutación. El IGBT combina las características simples de activación de compuerta de los MOSFET con la capacidad de alta corriente y baja saturación de voltaje de los transistores bipolares mediante la combinación de un FET de compuerta aislado para la entrada de control y un transistor de potencia bipolar como interruptor, en un solo dispositivo. dispositivo.
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2MBI75N-120 Controlador IGBT Dual, 1200V...
Controlador de módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) con aplicaciones de switch de alta potencia, control de motores (AC o DC), fuentes de poder ininterrumpidas, etc.
BI6A46
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SKD 110/16 Puente Rectificador trifásic...
Rectificadores de puente trifásicos, series SEMIPONT®2/3/4
**Producto a pedido, entrega entre 15 a 20 días validado el pago**
Rectificadores trifásicos para fuentes de alimentación, controladores de frecuencia variable, alimentaciones de campo para motores dc
BILB13
Carcasa de plástico resistente con terminales de conexión por tornillo
Placa base de metal aislada
Montaje en panel sencilloQuick View -
SKKT92B12E Tiristor Module, 95 A, 1200 V...
Módulo de tiristor, 95 A, 1200 V Voltaje de pico repetitiva off-state, VDRM: 1.2kv disparador de puerta Max, IGT actual: 150mA actual es AV: 95 a en estado actual it potencia (RMS): 150 a tiristores, estilo: Memoria Nº de pines: 7Pins pico no Rep contra sobrecargas de corriente itsm 50 Hz:2ka Holding Max IH actual: 250ma disparador de puerta Voltaje max vgt: 3 V temperatura de funcionamiento máxima: 125° C
BI6A42
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SKD 160/16 Puente Rectificador, Trifási...
El SKD 160/16 es un puente rectificador de potencia trifásico SEMIPONT® 4 con carcasa de plástico resistente, terminales de tornillo y placa base grande/aislada. El puente rectificador cuenta con gran capacidad de sobrecorrientes, fácil montaje del chasis y voltaje inverso repetitivo de 1600V.- Voltaje de bloqueo de 1800V
Aplicaciones
Rectificación de red
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2MBI450U4E-120 IGBT MODULE 450A 1200V. F...
Número de Parte: 2MBI450U4E-120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 2715
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 675
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.15
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 8.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 100
Paquete / Cubierta: MODULE
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Tiristor EUPEC PowerBlock TT106N16KOF. 1...
Estos módulos de doble scr vienen en paquetes estándar de la industria que ofrecen tres circuitos diferentes. Los módulos se pueden usar individualmente o como bloques de construcción de control de potencia. Su alta eficiencia térmica asegura una larga vida útil y un rendimiento confiable. Seis tamaños de paquete diferentes permiten una corriente de salida máxima de 570 amperios para módulos scr estándar y 200 amperios para versiones de conmutación rápida. Los voltajes de bloqueo están disponibles hasta 3600 voltios para scr estándar y 1300 voltios para módulos de conmutación rápida. Los tiempos de conmutación son tan bajos como 18 microsegundos.
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GD400HFT120C2SN Modulo IGBT 1200V 400A. ...
MODULO IGBT GD400HFT120C2SN 1200V 400A
BILC14
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SKIIP513GB173CT Modulo IGBT. SEMIKRON
Modulo IGBT SEMIKRON SKIIP 513GB173CT
BILA110
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