Componentes Electrónicos

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    2 unidades de Transistor 2sk9002 unidades de Transistor 2sk900
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    2 unidades de Transistor 2sk900

    Transistor 2sk900

    Número de Parte: 2SK900

    Tipo de FET: MOSFET

    Polaridad de transistor: N

    ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

    Disipación total del dispositivo (Pd): 80 W

    Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

    Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

    Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

    Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

    CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

    Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1800 pF

    Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.3 Ohm

    Empaquetado / Estuche: TO220AB

    $3.900 Neto
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    Transistor, BD136, PNP 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines, Simple Pack 6 unidades

    Transistor, BD136, PNP 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines, Simple Pack 6 unidades
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    Transistor, BD136, PNP 3 A 45 V HFE:25 S...
    *Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 0,5 V
    *Temperatura de Funcionamiento Máxima:+150 °C
    *Number of Elements per Chip: Monopolar
    *Longitud: 7.8mm
    *Maximum Collector Base Voltage: 45 V
    *Transistor Configuration: Simple
    *Brand ST: Microelectronics
    *Tensión Máxima Colector-Emisor:45 V
    *Tipo de Encapsulado: SOT-32
    *Disipación de Potencia Máxima: 1250 mW
    *Tipo de montaje:Montaje en orificio pasante
    *Temperatura Mínima de Funcionamiento: -65 °C
    *Profundidad: 2.7mm
    *Corriente DC Máxima del Colector:3 A
    *Transistor Type :NPN
    *Altura:10.8mm
    *Conteo de Pines:0
    *Dimensiones del Cuerpo: 10.8 x 7.8 x 2.7mm
    *Maximum Emitter Base Voltage: 5.0 V
    *Ganancia Mínima de Corriente: DC 25
    B12B4S5C20
    $3.900 Neto
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    Transistor BD137 NPN 1,5 A 60 V HFE:40 TO-126, 3 pines, Simple Pack 6 Unidades

    Transistor, BD13716STU, NPN 1,5 A 60 V HFE:40 TO-126, 3 pines, Simple Pack 6 Unidades
    Transistor, BD13716STU, NPN 1,5 A 60 V HFE:40 TO-126, 3 pines, Simple Pack 6 UnidadesTransistor, BD13716STU, NPN 1,5 A 60 V HFE:40 TO-126, 3 pines, Simple Pack 6 Unidades
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    Transistor BD137 NPN 1,5 A 60 V HFE:40 T...
    Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:
    0,5 V
    Temperatura de Funcionamiento Máxima:
    +150 °C
    Number of Elements per Chip:
    Monopolar
    Longitud:
    8
    Transistor Configuration:
    Simple
    Maximum Collector Base Voltage:
    60 V
    Brand:
    ON Semiconductor
    Tensión Máxima Colector-Emisor:
    60 V
    Tipo de Encapsulado:
    TO-126
    Disipación de Potencia Máxima.
    12,5 W
    Tipo de montaje:
    Montaje en orificio pasante
    Profundidad:
    3.25mm
    Corriente DC Máxima del Colector:
    2.3 A
    Transistor Type:
    NPN
    Altura:
    11mm
    Conteo de Pines:
    0
    Dimensiones del Cuerpo:
    8 x 3.25 x 11mm
    Maximum Emitter Base Voltage:
    5.0 V
         
    B12B4S6C20
    $3.900 Neto
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    Pack 2 TRANSISTORES Silicio NPN Triple Difuso

    TRANSISTOR Silicio NPN Triple Difuso
    TRANSISTOR Silicio NPN Triple DifusoTRANSISTOR Silicio NPN Triple Difuso
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    Pack 2 TRANSISTORES Silicio NPN Triple D...

    TRANSISTOR Silicio NPN Triple Difuso AMPLIFICADOR DE POTENCIA DE BAJA FRECUENCIA

    B4A14C25

    $3.908 Neto
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    TOP223YN LOTE X 4TOP223YN LOTE X 4
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    TOP223YN 2 UNIDADES

    Descripción Circuito Integrado TOP223YN

    B4D42

    $3.933 Neto
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    SR5100 Diodo rápido 100V 5A, 10 unidades

    SR5100 Diodo rápido 100V 5A,20 unidades
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    SR5100 Diodo rápido 100V 5A, 10 unidade...

    Descripcion

    CORRIENTE CONTINUA MÁXIMA DIRECTA 5A
    CONFIGURACIÓN DE DIODO SIMPLE
    NÚMERO DE ELEMENTOS POR CHIP 1
    TENSIÓN REPETITIVA INVERSA DE PICO 100V
    TIPO DE MONTAJE MONTAJE EN ORIFICIO PASANTE
    TIPO DE ENCAPSULADO DO-27
    TIPO DE DIODO SCHOTTKY
    CONTEO DE PINES 2
    CAÍDA DE TENSIÓN DIRECTA MÁXIMA 850MV
    ALTURA 9.5MM
    DIÁMETRO 5.6MM
    TRANSITORIOS DE CORRIENTE DIRECTA NO REPETITIVA DE PICO 150A
    TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO MÍNIMA -55 °C
    CORRIENTE INVERSA DE PICO 50MA
    DIMENSIONES 5.6 (DIA.) X 9.5MM
    TEMPERATURA MÁXIMA DE FUNCIONAMIENTO +150 °C

    B6A13210

    $3.933 Neto
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    RT8289, RT8289GSP.Lote de 2 unidades

    RT8289, RT8289GSP
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    RT8289, RT8289GSP.Lote de 2 unidades

    Rt8289 Rt8289gsp 5a 32v 500khz Step-down Converter

    B9A337

    $3.980 Neto
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    2SA1943 original Toshiba, 230V, 15A, 150W

    Lote 6 Unidades TTA1943 Silicon PNP Transistor, 230V, 15A, 150W, 2-21F1A
    Lote 6 Unidades TTA1943 Silicon PNP Transistor, 230V, 15A, 150W, 2-21F1ALote 6 Unidades TTA1943 Silicon PNP Transistor, 230V, 15A, 150W, 2-21F1A
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    2SA1943 original Toshiba, 230V, 15A, 150...

    El 2SA1943 es un amplificador operacional de potencia que, además, complementa al 2SC5200 y su aplicación está recomendada para salidas de audio de frecuencia de alta fidelidad de 100W.

    B9D1-381

    $3.990 Neto
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    RHRG30120. Diodo, Conmutación, 30A, 1200V

    RHRG30120. Diodo, Conmutación, 30A, 1200V
    RHRG30120. Diodo, Conmutación, 30A, 1200VRHRG30120. Diodo, Conmutación, 30A, 1200V
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    RHRG30120. Diodo, Conmutación, 30A, 120...

    Diodo Estándar Orificio pasante 1200V 30 A TO-247-2

    B9B72

    $3.990 Neto
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    RURG8060 Diodo ultra rápido 600 V, 80 A.Original

    RURG8060 Diodo ultra rápido 600 V, 80 A.Original
    RURG8060 Diodo ultra rápido 600 V, 80 A.OriginalRURG8060 Diodo ultra rápido 600 V, 80 A.Original
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    RURG8060 Diodo ultra rápido 600 V, 80 A...
    El RURG8060 es un diodo ultrarrápido con baja caída de voltaje directo. Este dispositivo está diseñado para usarse como diodos de sujeción y de rueda libre en una variedad de fuentes de alimentación de conmutación y otras aplicaciones de conmutación de energía.
    • Clasificación de energía de avalancha
    • Voltaje de bloqueo 600VDC
    • Disipación de potencia máxima de 180 W
    • 0,83 ° C / W Unión a carcasa resistencia térmica

    Aplicaciones

    Gestión de energía

    B5D2-458

    $3.990 Neto
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    IRF740 Pack de 2 Unidades

    IRF740 LOTE 2 X
    IRF740 LOTE 2 XIRF740 LOTE 2 X
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    IRF740 Pack de 2 Unidades

    IRF740. Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar, conmutación de potencia de alta velocidad, convertidores, Suministro de energía ininterrumpida (UPS).

    B6D13C44

    $4.000 Neto
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    C2383 10 UNIDADES

    C2383 10 UNIDADES
    C2383 10 UNIDADESC2383 10 UNIDADES
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    C2383 10 UNIDADES

    TOSHIBA Transistor Silicon NPN tipo epitaxial (Proceso PCT) 2SC2383 Aplicaciones de salida de desviación vertical de TV en color Aplicaciones de salida de sonido de TV de color clase.

    B5D11C190

    $4.000 Neto
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