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Transistor BD135 NPN 3 A 45 V HFE:25 SOT...
*Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 0,5 V*Temperatura de Funcionamiento Máxima:+150 °C*Number of Elements per Chip: Monopolar*Longitud: 7.8mm*Maximum Collector Base Voltage: 45 V*Transistor Configuration: Simple*Brand ST: Microelectronics*Tensión Máxima Colector-Emisor:45 V*Tipo de Encapsulado: SOT-32*Disipación de Potencia Máxima: 1250 mW*Tipo de montaje:Montaje en orificio pasante*Temperatura Mínima de Funcionamiento: -65 °C*Profundidad: 2.7mm*Corriente DC Máxima del Colector:3 A*Transistor Type :NPN*Altura:10.8mm*Conteo de Pines:0*Dimensiones del Cuerpo: 10.8 x 7.8 x 2.7mm*Maximum Emitter Base Voltage: 5.0 V*Ganancia Mínima de Corriente: DC 25B12DS4C20Quick View -
Transistor, BD140, Phillips,Original PNP...
*Temperatura de Funcionamiento Máxima+150 °C*Nunber of Elements per ChipMonopolar*Longitud7.8mm*Transistor ConfigurationSimple*Maximum Collector Base Voltage80 V*BrandSTMicroelectronics*Tensión Máxima Colector-Emisor 80 V*Tipo de EncapsuladoSOT-32*Disipación de Potencia Máxima1250 mW*Tipo de montajeMontaje en orificio pasante*Temperatura Mínima de Funcionamiento-65 °C*Profundidad2.7mm*Corriente DC Máxima del Colector3 A*Transistor Type PNP*Altura10.8mm*Conteo de Pines0*Dimensiones del Cuerpo10.8 x 7.8 x 2.7mm*Maximum Emitter Base Voltage5.0 V*Ganancia Mínima de Corriente DC25B12B6128Quick View -
Pack 2 TRANSISTORES Silicio NPN Triple D...
TRANSISTOR Silicio NPN Triple Difuso AMPLIFICADOR DE POTENCIA DE BAJA FRECUENCIA
B4A14C25
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2SA1943 original Toshiba, 230V, 15A, 150...
El 2SA1943 es un amplificador operacional de potencia que, además, complementa al 2SC5200 y su aplicación está recomendada para salidas de audio de frecuencia de alta fidelidad de 100W.
B9D1-381
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C2383 10 UNIDADES
TOSHIBA Transistor Silicon NPN tipo epitaxial (Proceso PCT) 2SC2383 Aplicaciones de salida de desviación vertical de TV en color Aplicaciones de salida de sonido de TV de color clase.
B5D11C190
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AGOTADOLeer másQuick View
BD138 – Transistor de Unión Bipo...
El BD138 es un transistor planar epitaxial de silicio PNP en un encapsulado de plástico JEDEC. Está diseñado para controladores y amplificadores de audio que utilizan circuitos complementarios o cuasi-complementarios.- El tipo NPN complementario es BD135
Aplicaciones
Industrial, Administración de Potencia
B12C4C10
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10 Unidades de Transistor ZDW PBSS5350T
ZDW micro transistorMontaje en superficie
B5D1110
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BD139 Transistor Bipolar pack 6 unidades
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente — ganancia — ancho de banda (ft): 50 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
B12C5C20
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2SA1859 A1859 Transistor Bipolar PNP 150...
SANKEN ORIGINAL. ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente — ganancia — ancho de banda (ft): 60 MHz
Ganancia de corriente contInua (hfe): 60
Marca: SANKEN
B5A13C20
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2SC4883 C4883 Transistor Bipolar NPN 150...
Características del transistor bipolar 2SC4883
- Tipo – NPN
- Voltaje colector-emisor: 150 V
- Voltaje colector-base: 150 V
- Voltaje de la base del emisor: 6 V
- Corriente del colector: 2 A
- Disipación del colector – 20 W
- Ganancia de corriente CC (h fe ) – 60 a 240
- Frecuencia de transición: 120 MHz
- Rango de temperatura de unión de operación y almacenamiento -55 a +150 ° C
- Paquete – TO-220F
- SANKEN Original
B5A15C20
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AGOTADOLeer másQuick View
j13009-2 Transistor alta potencia 12a/40...
Características del artículo
Información acerca de la condiciónEstado del artículo:NuevoPackage/Case:TO-220Categoria:Power TransistorMinima T° operatividad:-40 °C (-40 °F)Series:FJP13009-2Tipo:TransistorNumero de Pines:3Maximo T° operatividad:105 °C (221 °F)B4A13Leer másQuick View
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