IGBT

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    RJH60F7 600V 50A(100ºC) To-247 Original Maquina De Soldar

    RJH60F7 700v 60a To-247 Original Maquina De Soldar
    RJH60F7 700v 60a To-247 Original Maquina De SoldarRJH60F7 700v 60a To-247 Original Maquina De Soldar
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    RJH60F7 600V 50A(100ºC) To-247 Original...

    TRANSISTOR IGBT RJH60F7 PARA MAQUINAS DE SOLDAR ELECTRÓNICAS
    90A a 25ºC, 50 A 100ºC, 600 VOLT.

    B11D1-674

    $2.790 Neto
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    RJH60F5,Transistor IGBT 600V/40A

    RJH60F5. Transistor IGBT. TO-247, 600V/80A. Pack 2 unidades.
    RJH60F5. Transistor IGBT. TO-247, 600V/80A. Pack 2 unidades.RJH60F5. Transistor IGBT. TO-247, 600V/80A. Pack 2 unidades.
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    RJH60F5,Transistor IGBT 600V/40A

    Tipo: IGBT, Transistor Bipolar de Puerta Aislada
    Voltaje : 600V
    Corriente: 80A-25 ºC ; 40A-100ºC

    B11B511

    $2.990 Neto
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    fgh60n60smd Igbt 600v 60a, Con Diodo Damper.original

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    fgh60n60smd Igbt 600v 60a, Con Diodo Damper.originalfgh60n60smd Igbt 600v 60a, Con Diodo Damper.original
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    fgh60n60smd Igbt 600v 60a, Con Diodo Dam...

    FGH60N60SMD  

    B9D7-825

    $4.280 Neto
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    IRG71C28U IGBT 600V 12A a 100ªC. PACK 2 UNIDADES

    IRG71C28U 2 UNIDADES
    IRG71C28U 2 UNIDADESIRG71C28U 2 UNIDADES
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    IRG71C28U IGBT 600V 12A a 100ªC. PACK 2...

    Este IGBT está diseñado específicamente para aplicaciones en paneles de pantalla de plasma. Este dispositivo utiliza avanzadas tecnología IGBT de trinchera para obtener un bajo VCE (encendido) y bajo nivel de EPULSETM por área de silicio que mejora el panel eficiencia. Las características adicionales son una temperatura de unión de funcionamiento de 150 ° C y una corriente de pico alta y repetitiva capacidad. Estas características se combinan para hacer de este IGBT un dispositivo altamente eficiente, robusto y confiable para PDP aplicaciones

    B5C4.5C50

    $4.290 Neto
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    K50T60, Ikw50n60t,Igbt K50n60, 50A a 100ºC

    K50T60
    K50T60K50T60
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    K50T60, Ikw50n60t,Igbt K50n60, 50A a 100...

    Transistor Igbt  K50t60 To-247 50a 600v

    B7A7.8.9C71

    $4.454 Neto
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    RJP63F3A IGBT 630 40A

    RJP63F3A
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    RJP63F3A IGBT 630 40A

    RJP63F3A – 630V 40A N-ch IGBT – Renesas  630V 40A N-ch IGBT TO-220FL

    B8A8.9C96

    $4.697 Neto
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    20j121 Gt20j121 Transistor Igbt N 600V 20A. Original. 2 Unidades

    20j121 Gt20j121 Transistor Igbt N 600v 20a To-220. 2 Unidades
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    20j121 Gt20j121 Transistor Igbt N 600V 2...

    B8B14C20

    $4.890 Neto
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    G80N60UFD IGBT NPN,600V, 40A

    G80N60UFD Transistor IGBT NPN
    G80N60UFD Transistor IGBT NPNG80N60UFD Transistor IGBT NPN
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    G80N60UFD IGBT NPN,600V, 40A

    Ref.: TD-G80N60UFD
    Codigo fabricante: G80N60 UFD
    Tipo: IGBT ultrafast con diodo 
    Canal: N + diodo
    VCES: 600V
    IC: 40A
    ICM: 220A
    PD: 195W
    TJ: 150ºC
    TSTG: -55ºC a +150ºC
    Encapsulado: TO-3P

    B11C1.2C37

    $4.900 Neto
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    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor

    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor
    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor
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    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor se...

    ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

    Disipación total del dispositivo (Pc): 66

    Tensión colector-emisor (Vce): 650

    Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.65

    Tensión emisor-compuerta (Veg): 30

    Corriente del colector DC máxima (Ic): 15

    Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

    Tiempo de elevación: 20

    Capacitancia de salida (Cc), pF: 35

    Empaquetado / Estuche: TO263

    B11C8.9.10.11C84

    $4.900 Neto
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    Pack 3 unidades FGPF4633 PDP IGBT, 330V, 300A

    FGPF4633 PDP IGBT, 330V, 300A
    FGPF4633 PDP IGBT, 330V, 300AFGPF4633 PDP IGBT, 330V, 300A
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    Pack 3 unidades FGPF4633 PDP IGBT, 330V...

    Este componente posee el óptimo rendimiento para aplicaciones de PDP donde la baja conducción y las perdidas de swtiching son ecenciales.

    B5B1512

    $4.958 Neto
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    K40T1202, IKW40N120T2 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 480W

    K40T1202, IKW40N120T2 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 480W
    -35%
    K40T1202, IKW40N120T2 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 480WK40T1202, IKW40N120T2 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 480W
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    K40T1202, IKW40N120T2 TRANSISTOR IGBT 40...

    Descripción:

    1. Tiempo de resistencia a cortocircuito – 10us
    2. Diseñado para:
    – Convertidores de frecuencia
    – Suministro de energía ininterrumpida
    3. TrenchStop® de segunda generación para aplicaciones de 1200 V ofrece:
    – distribución de parámetros muy ajustada
    – alta robustez, comportamiento estable a la temperatura
    4. Capacidad de paralelismo fácil debido al coeficiente de temperatura positivo en VCE (sat)
    5. Baja EMI
    6. Carga baja de la puerta
    7. Muy suave, recuperación rápida anti-paralelo Emitio controlado por emisor
    8. Calificado según JEDEC1 para aplicaciones de destino
    9. Recubrimiento de plomo sin Pb; RoHS

    B8A1130

    $4.988 Neto
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    GT50J325 IGBT, 50 A 600 V.Toshiba

    GT50J325 IGBT, 50 A 600 V.Toshiba
    GT50J325 IGBT, 50 A 600 V.ToshibaGT50J325 IGBT, 50 A 600 V.Toshiba
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    GT50J325 IGBT, 50 A 600 V.Toshiba

    El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, conocido por su alta eficiencia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta simple de los MOSFET con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación de los transistores bipolares al combinar un FET de puerta aislada para la entrada de control y un transistor de potencia bipolar como interruptor, en un solo dispositivo.

    B9A5C16

    $5.490 Neto
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