Electrónica

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    GSSTTH12R06DI 3 UNIDADES

    GSSTTH12R06DI LOTE X 3
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    GSSTTH12R06DI 3 UNIDADES

    TURBO 2 RECTIFICADOR DE ALTO VOLTAJE Y VELOCIDAD ULTRA

    B7C1345

    $5.361 Neto
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    2SC5200 original toshiba,NPN,230V, 15A, 150W, 2-21F1A. Pack 2 unidades

    Lote 2 Unidades TTC5200 Silicon NPN Transistor,230V, 15A, 150W, 2-21F1A
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    2SC5200 original toshiba,NPN,230V, 15A, ...

    El 2SC5200 es un amplificador operacional de potencia que, además, complementa al 2SA1943 y su aplicación está recomendada para salidas de audio de frecuencia de alta fidelidad de 100W.

    B9D4-662

    $5.380 Neto
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    MUR3040PT Diodo 400V 30A. 2 UNIDADES

    MUR3040PT 2 UNIDADES
    MUR3040PT 2 UNIDADESMUR3040PT 2 UNIDADES
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    MUR3040PT Diodo 400V 30A. 2 UNIDADES

    MUR3040PT RECTIFICADORES ULTRAFAST

    PRV: 400 voltios

    Io: 30 amperios

    B8D1528

    $5.390 Neto
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    Pendrive Mminiatura Nikon D7000 + Lente 18-105 8 GIGAS

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    Pendrive Mminiatura Nikon D7000 + Lente ...

    Replica de cámara nikon D7000 , Interfaz USB, alta velocidad de lectura/escritura, voltaje: 4,5v – 5,5v

    chip de memoria puede ser borrado mas de 100.00 veces

    Resistente al agua, golpes, radiación electromagnetica, Rayos X

    BI4M423

    $5.450 Neto
  • AGOTADO
    Mini voltímetro probador Digital voltaje prueba batería DC 0-100V rojoMini voltímetro probador Digital voltaje prueba batería DC 0-100V rojo
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    BILB230

    $5.450 Neto
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    Pack de 2 Unidades IRFB4410 HEXFET Power MOSFET Transistor

    Lote 2 Unidades HEXFET Power MOSFET Transistor
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    Pack de 2 Unidades IRFB4410 HEXFET Power...

    El MOSFET IRFB4410 es empleado en circuitos de rectificación sincronizada de alta eficiencia en SMPS, fuentes de alimentación ininterrumpibles, circuitos de alta frecuencia, etc.

    B4D5C35

    $5.462 Neto
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    ICE3B5065P Controlador De Corriente A 650V Lote 2 Unidades

    Lote 2 Unidades ICE3B5065P Controlador De Corriente A 650V
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    B8B77

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    Pack de 3 Unidades FDPF51N25 MOSFET Canal N, 250V, 51A, 60mΩ

    Lote 3 Unidades FDPF51N25 MOSFET Canal N, 250V, 51A, 60mΩ
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    Pack de 3 Unidades FDPF51N25 MOSFET Cana...

    El FDPF51N25 es un MOSFET semiconductor de alto voltaje basado en la tecnología DMOS. Este MOSFET está diseñado para reducir la resistencia y para proporcionar un mejor rendimiento del switching y una mayor fuerza de energía de avalancha.

    B8B919

    $5.462 Neto
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    Circuito Integrado Audio TDF8556AJ Tdf8556a Tdf8556

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    Integrado de audio

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    UC2845BN 6 UNIDADES

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    UC2845BN 6 UNIDADES

    Lote 6 Uc2845bn Controlador De Corriente Pwm 1a

    B8B244

    $5.462 Neto
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    GT50J325 IGBT, 50 A 600 V.Toshiba

    GT50J325 IGBT, 50 A 600 V.Toshiba
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    GT50J325 IGBT, 50 A 600 V.Toshiba

    El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, conocido por su alta eficiencia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta simple de los MOSFET con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación de los transistores bipolares al combinar un FET de puerta aislada para la entrada de control y un transistor de potencia bipolar como interruptor, en un solo dispositivo.

    B9A5C16

    $5.490 Neto
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    Diodo P6KE200A Zener Unidireccional 200 V. Pack 10 unidades

    Diodo P6KE200A Zener Unidireccional y Bidireccional 200 V. Pack 10 unidades
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    Diodo P6KE200A Zener Unidireccional 200...

    Diodo P6KE200A zener supresor de voltaje transitorio unidireccional. Está diseñado para proteger los componentes sensibles de altos voltaje. El diodo también tiene una excelente capacidad de sujeción, alta capacidad de alto voltaje, baja impedancia zener y tiempo de respuesta rápida. Está perfectamente adaptado para su uso en sistemas de comunicación, controles numéricos, controles de proceso, equipos médicos, equipos de oficina, suministros de energía y muchas otras aplicaciones industriales

    B7B9-11C60

    $5.497 Neto