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    2SK3160 , K3160, MOSFET 10A 200V. Pack 2 unidades

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    2SK3160 , K3160, MOSFET 10A 200V. Pack ...

    Transistor Mosfet 2SK3160 200V 10A

    B12B9C12

    $4.990 Neto
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    4 UNIDADES ,2sk4145 k4145 mosfet 60V 84A.original

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    B7D7C5

    $4.990 Neto
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    ZY200 - 10 Unidades,Diodo Zener - 2 W - 200 V

    ZY200 - 10 Unidades,Diodo Zener - 2 W - 200 V
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    ZY200 – 10 Unidades,Diodo Zener &#...

    DIODO, ZENER, 200 V, 2 W

    Zener Voltage Vz Typ: 200V

    Power Dissipation Pd: 2 W

    Power Dissipation Max: 2 W

    Tipo de terminación: Con conexión axial

    Corriente de prueba: 16 mA

    B2*A990

    $4.990 Neto
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    CR2354 Batería de litio de 3V con terminales 180°

    CR2354 Batería de litio de 3V con terminales 180°
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    CR2354 Batería de litio de 3V con termi...
    Detalles rápidos
    Número de Modelo:CR2354
    Capacidad nominal:300 mAh
    Voltaje nominal:3 V
    Lugar del origen:Guangdong, China
    Certificado:CE/RoHS/UN38.3/MSDS
    Ciclo de Vida:1 año
    Color:Amarillo
    Nombre del producto:CR2354 batería para vx510
    Pruebas de muestra:Disponible
    OEM:Aceppt
    Recargable:No recargable
    Temperatura de trabajo:-20 ~ 60℃
    Peso:4,1g
    Aplicación:Para el terminal de pago
    Tipo:LiMnO2
    Talla:23*5,4mm
    BI5H250
    $4.990 Neto
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    NE5532P Op Amps, 10MHz, 30 V, 8-Pin PDIP. 5 Unidades

    NE5532P Op Amps, 10MHz, 30 V, 8-Pin PDIP
    NE5532P Op Amps, 10MHz, 30 V, 8-Pin PDIPNE5532P Op Amps, 10MHz, 30 V, 8-Pin PDIP
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    NE5532P Op Amps, 10MHz, 30 V, 8-Pin PDI...

    Amplificador operacional de audio de alta velocidad y bajo ruido dual

    B4B4-6100

    $4.990 Neto
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    Controlador PWM LM78S40N, 100 kHz, 16 pines MDIP.Original Texas.2 unidades

    Controlador PWM LM78S40N, 100 kHz, 16 pines MDIP.Original Texas
    Controlador PWM LM78S40N, 100 kHz, 16 pines MDIP.Original TexasControlador PWM LM78S40N, 100 kHz, 16 pines MDIP.Original Texas
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    Controlador PWM LM78S40N, 100 kHz, 16 pi...

    convertidor CC/CC; Uentr: 2,5÷40V; Usal: 1,25÷40V; DIP16

    Texas Instrument original

    B8C1230



    $4.990 Neto
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    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades

    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades
    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidadesTransistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades
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    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N...

    El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET

    B3D4.5C50

    $4.990 Neto
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    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades

    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades
    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidadesTransistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades
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    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N...

    El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET

    B3D4.5C50

    $4.990 Neto
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    TL084AC TL084C SOP-14. Lote de 5 unidades

    TL084AC TL084C SOP-14. Lote de 5 unidades
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    TL084AC TL084C SOP-14. Lote de 5 unidade...

    B12D780

    $4.998 Neto
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    M5201,Circuito integrado,Dual, Con Interruptor Lote 3 unidades

    M5201,Circuito integrado,Dual, Con Interruptor Lote 3 unidades
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    M5201,Circuito integrado,Dual, Con Inter...

    Hoja de especificaciones

    B12D1117

    $5.000 Neto
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    BYT12PI 1000V 12A Diodo ultrarapido. 2 UNIDADES

    BYT12PI 2 UNIDADES
    BYT12PI 2 UNIDADESBYT12PI 2 UNIDADES
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    BYT12PI 1000V 12A Diodo ultrarapido. 2 U...

    BYT 12PI DIODO RECTIFICADOR DE RECUPERACIÓN RÁPIDA CAPACIDAD DE VOLTAJE MUY ALTO INVERSO

    1000v 12A

    B8C620

    $5.008 Neto
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    K30n60h3, K30h603, Ikw30h603 Transistor Igbt. Original.

    K30N60H3 TRANSISTOR IGBT
    K30N60H3 TRANSISTOR IGBTK30N60H3 TRANSISTOR IGBT
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    K30n60h3, K30h603, Ikw30h603 Transistor ...

    ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

    Disipación total del dispositivo (Pc): 187W

    Tensión colector-emisor (Vce): 600V

    Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.95V

    Tensión emisor-compuerta (Veg):

    Corriente del colector DC máxima (Ic): 60A

    Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

    Tiempo de elevación:

    Capacitancia de salida (Cc), pF:

    Empaquetado / Estuche: TO247

    B7D1342

    $5.050 Neto
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