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    Pendrive Mminiatura Nikon D7000 + Lente 18-105 8 GIGAS

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    Pendrive Mminiatura Nikon D7000 + Lente ...

    Replica de cámara nikon D7000 , Interfaz USB, alta velocidad de lectura/escritura, voltaje: 4,5v – 5,5v

    chip de memoria puede ser borrado mas de 100.00 veces

    Resistente al agua, golpes, radiación electromagnetica, Rayos X

    BI4M423

    $5.450 Neto
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  • AGOTADO
    Mini voltímetro probador Digital voltaje prueba batería DC 0-100V rojoMini voltímetro probador Digital voltaje prueba batería DC 0-100V rojo
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    Mini voltímetro probador Digital voltaje prueba batería DC 0-100V rojo

    BILB230

    $5.450 Neto
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    Batería NI-CD 1,2 V, 4/5 SC/recargable/1200mAh/con terminales.PKCELL

    Batería NI-CD 1,2 V, 4/5 SC/recargable/1200mAh/con terminales.PKCELL
    Batería NI-CD 1,2 V, 4/5 SC/recargable/1200mAh/con terminales.PKCELLBatería NI-CD 1,2 V, 4/5 SC/recargable/1200mAh/con terminales.PKCELL
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    Batería NI-CD 1,2 V, 4/5 SC/recargable/...

    Modelo: batería recargable ni-cd 4/5 SC 1200mAh 1,2 V

    Tensión: de 1,2 voltios

    Capacidad Nominal: 1200 mAh

    Capacidad mínima: 1140mAh

    Corriente máxima de descarga: 6A(5C)

    Química: NiCD

    Tamaño de la batería: Sub C

    Dimensiones: 23x34mm

    Peso: aproximadamente 38g

    Tipo de Terminal: Parte superior plana con pestañas

    BI5N314

    $5.450 Neto
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    Pilas Recargables NiMH (Nickel Metal) AA 1.2V, 2000 mAh. Pack 2 unidades. Energizer

    Energizer Pilas Recargables AA, 2 unidades, 2000 mAh
    Energizer Pilas Recargables AA, 2 unidades, 2000 mAh
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    Pilas Recargables NiMH (Nickel Metal) AA...

    Marca: Energizer
    Modelo: recargables 2000 mAh
    Cantidad: 2 unidades
    Voltaje: 1.2V
    Tamaño: A
    Se pueden recargar cientos de veces

    BI5K20

    $5.455 Neto
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    Pack de 2 Unidades IRFB4410 HEXFET Power MOSFET Transistor

    Lote 2 Unidades HEXFET Power MOSFET Transistor
    Lote 2 Unidades HEXFET Power MOSFET TransistorLote 2 Unidades HEXFET Power MOSFET Transistor
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    Pack de 2 Unidades IRFB4410 HEXFET Power...

    El MOSFET IRFB4410 es empleado en circuitos de rectificación sincronizada de alta eficiencia en SMPS, fuentes de alimentación ininterrumpibles, circuitos de alta frecuencia, etc.

    B4D5C35

    $5.462 Neto
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    ICE3B5065P Controlador De Corriente A 650V Lote 2 Unidades

    Lote 2 Unidades ICE3B5065P Controlador De Corriente A 650V
    Lote 2 Unidades ICE3B5065P Controlador De Corriente A 650VLote 2 Unidades ICE3B5065P Controlador De Corriente A 650V
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    ICE3B5065P Controlador De Corriente A 65...

    B8B77

    $5.462 Neto
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    Pack de 3 Unidades FDPF51N25 MOSFET Canal N, 250V, 51A, 60mΩ

    Lote 3 Unidades FDPF51N25 MOSFET Canal N, 250V, 51A, 60mΩ
    Lote 3 Unidades FDPF51N25 MOSFET Canal N, 250V, 51A, 60mΩLote 3 Unidades FDPF51N25 MOSFET Canal N, 250V, 51A, 60mΩ
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    Pack de 3 Unidades FDPF51N25 MOSFET Cana...

    El FDPF51N25 es un MOSFET semiconductor de alto voltaje basado en la tecnología DMOS. Este MOSFET está diseñado para reducir la resistencia y para proporcionar un mejor rendimiento del switching y una mayor fuerza de energía de avalancha.

    B8B919

    $5.462 Neto
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    Circuito Integrado Audio TDF8556AJ Tdf8556a Tdf8556

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    Circuito Integrado Audio TDF8556AJ Tdf85...

    Integrado de audio

    B7D1-212

    $5.462 Neto
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    UC2845BN 6 UNIDADES

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    UC2845BN 6 UNIDADES

    Lote 6 Uc2845bn Controlador De Corriente Pwm 1a

    B8B244

    $5.462 Neto
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    GT50J325 IGBT, 50 A 600 V.Toshiba

    GT50J325 IGBT, 50 A 600 V.Toshiba
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    GT50J325 IGBT, 50 A 600 V.Toshiba

    El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, conocido por su alta eficiencia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta simple de los MOSFET con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación de los transistores bipolares al combinar un FET de puerta aislada para la entrada de control y un transistor de potencia bipolar como interruptor, en un solo dispositivo.

    B9A5C16

    $5.490 Neto
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    Diodo P6KE200A Zener Unidireccional 200 V. Pack 10 unidades

    Diodo P6KE200A Zener Unidireccional y Bidireccional 200 V. Pack 10 unidades
    Diodo P6KE200A Zener Unidireccional y Bidireccional 200 V. Pack 10 unidadesDiodo P6KE200A Zener Unidireccional y Bidireccional 200 V. Pack 10 unidades
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    Diodo P6KE200A Zener Unidireccional 200...

    Diodo P6KE200A zener supresor de voltaje transitorio unidireccional. Está diseñado para proteger los componentes sensibles de altos voltaje. El diodo también tiene una excelente capacidad de sujeción, alta capacidad de alto voltaje, baja impedancia zener y tiempo de respuesta rápida. Está perfectamente adaptado para su uso en sistemas de comunicación, controles numéricos, controles de proceso, equipos médicos, equipos de oficina, suministros de energía y muchas otras aplicaciones industriales

    B7B9-11C60

    $5.497 Neto
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    RGT30NS65D IGBT transistor semiconductor, 2 Unidades

    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor
    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor
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    RGT30NS65D IGBT transistor semiconductor...

    ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

    Disipación total del dispositivo (Pc): 66

    Tensión colector-emisor (Vce): 650

    Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.65

    Tensión emisor-compuerta (Veg): 30

    Corriente del colector DC máxima (Ic): 15

    Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

    Tiempo de elevación: 20

    Capacitancia de salida (Cc), pF: 35

    Empaquetado / Estuche: TO263

    B11C8.9.10.11C84

    $5.499 Neto
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