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    LF347 Amplificador operacional SMD cuadruple JFET.Lote 5 unidades

    LF347 Amplificador operacional SMD cuadruple JFET
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    LF347 Amplificador operacional SMD cuadruple JFET.Lote 5 unidades

    El circuito integrado LF347 está compuesto por 4 amplificadores operacionales de alta velocidad en encapsulado DIP de 14 pines.

    • Máximo voltaje de alimentación ±18V 
    • Baja corriente de alimentación 7.2mA 
    • De entrada JFET 
    • Voltaje compensado internamente recortado máximo 5mV 
    • Ancho de banda de 4MHz

    B4D1570

    $4.890 Neto
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    20j121 Gt20j121 Transistor Igbt N 600V 20A. Original. 2 Unidades

    20j121 Gt20j121 Transistor Igbt N 600v 20a To-220. 2 Unidades
    20j121 Gt20j121 Transistor Igbt N 600v 20a To-220. 2 Unidades20j121 Gt20j121 Transistor Igbt N 600v 20a To-220. 2 Unidades
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    20j121 Gt20j121 Transistor Igbt N 600V 20A. Original. 2 Unidades

    B8B14C20

    $4.890 Neto
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    SF20A300HPI . TRANSISTOR RECTIFICADOR 300V 20A. PACK 4 UNIDADES

    SF20A200HPI . TRANSISTOR RECTIFICADOR 200V 20A. PACK 4 UNIDADES
    SF20A200HPI . TRANSISTOR RECTIFICADOR 200V 20A. PACK 4 UNIDADESSF20A200HPI . TRANSISTOR RECTIFICADOR 200V 20A. PACK 4 UNIDADES
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    SF20A300HPI . TRANSISTOR RECTIFICADOR 300V 20A. PACK 4 UNIDADES

    El SF20A300HPI es un rectificador ultrarrápido. Tiene una baja caída de tensión directa y un tiempo de recuperación inverso (trr <30ns). El dispositivo está diseñado para usarse como rectificador de sujeción de rueda libre en una variedad de fuentes de alimentación de conmutación y otras aplicaciones de conmutación de energía.

    B4B1150

    $4.896 Neto
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    Circuito Integrado Lm3915 LOTE 2 UNIDADES

    Circuito Integrado Lm3915 2 Unid
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    Circuito Integrado Lm3915 LOTE 2 UNIDADES

    Circuito Integrado LM3915-

    Permite visualizar un V analogico con un V de referencia e un Display o LCD Vs: 25V

    B8D7-12 96

    $4.899 Neto
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    4407A LOTE 2 UNIDADES

    4407a x2
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    4407A LOTE 2 UNIDADES

    AO4407A 30V P-Channel MOSFET X2un

    B8B3S11C30

    $4.899 Neto
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    Lote 10 Unidades LM324N Amplificador operacional cuádruple, 3-32V, 50mA, DIP14

    Lote 15 Unidades LM324N Amplificador operacional cuádruple, 3-32V, 50mA, DIP14
    Lote 15 Unidades LM324N Amplificador operacional cuádruple, 3-32V, 50mA, DIP14Lote 15 Unidades LM324N Amplificador operacional cuádruple, 3-32V, 50mA, DIP14
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    Lote 10 Unidades LM324N Amplificador operacional cuádruple, 3-32V, 50mA, DIP14

    La linea de Amplificadores Operacionales LM324N consiste en alta ganancia, compensación de frecuencia interna diseñada para amplificadores operacionales para oprear en una fuente de alimentación simple sobre una amplia gama de voltajes.

    B11A1-6290

    $4.900 Neto
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    ULN2003A Microprocesador. Lote de 10 unidades. Encapsulado SMD

    Lote de 10 unidades Microprocesador ULN2003A. Encapsulado SMD
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    ULN2003A Microprocesador. Lote de 10 unidades. Encapsulado SMD

    El ULN2003A es un array de siete transistores Darlington de alta tensión y alta corriente.

    B1A3200

    $4.900 Neto
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    LM324DR. Amplificador operacional. 32V 30mA. Pack 10 unidades

    LM324DR. Amplificador operacional. 32V 30mA. Pack 10 unidades
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    LM324DR. Amplificador operacional. 32V 30mA. Pack 10 unidades

    Amplificador operacional cuádruple con entradas diferenciales verdaderas. Está compuesto por cuatro amplificadores operacionales de alta ganancia, diseñados para trabajar con fuente de alimentación simple. Sin embargo, también son capaces de funcionar con una fuente de alimentación doble. Tiene ventajas sobre los amplificadores operacionales convencionales en aplicaciones de fuente sencilla de alimentación y puede trabajar con voltajes de alimentación desde 3V hasta 32V. Es de bajo consumo de energía.

    B11B1-2-3 200

    $4.900 Neto
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    G80N60UFD IGBT NPN,600V, 40A

    G80N60UFD Transistor IGBT NPN
    G80N60UFD Transistor IGBT NPNG80N60UFD Transistor IGBT NPN
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    G80N60UFD IGBT NPN,600V, 40A

    Ref.: TD-G80N60UFD
    Codigo fabricante: G80N60 UFD
    Tipo: IGBT ultrafast con diodo 
    Canal: N + diodo
    VCES: 600V
    IC: 40A
    ICM: 220A
    PD: 195W
    TJ: 150ºC
    TSTG: -55ºC a +150ºC
    Encapsulado: TO-3P

    B11C1.2C37

    $4.900 Neto
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    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor

    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor
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    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor

    ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

    Disipación total del dispositivo (Pc): 66

    Tensión colector-emisor (Vce): 650

    Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.65

    Tensión emisor-compuerta (Veg): 30

    Corriente del colector DC máxima (Ic): 15

    Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

    Tiempo de elevación: 20

    Capacitancia de salida (Cc), pF: 35

    Empaquetado / Estuche: TO263

    B11C8.9.10.11C84

    $4.900 Neto
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    IRFZ48 original mosfet , 60 V, 50A. Pack 4 unidades

    IRFZ48 original mosfet , 60 V, 50A. Pack 4 unidades
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    IRFZ48 original mosfet , 60 V, 50A. Pack 4 unidades

    Transistor Mosfet original IRFZ48 60v 50a

    B12C7200

    $4.900 Neto
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    Circuito Integrado SC900509BVW

    Sensor de Velocidad
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    Circuito Integrado SC900509BVW

    Circuito integrado de alta calidad.

    B12A912

    $4.928 Neto
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