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Controlador PWM LM78S40N, 100 kHz, 16 pines MDIP.Original Texas.2 unidades
convertidor CC/CC; Uentr: 2,5÷40V; Usal: 1,25÷40V; DIP16
Texas Instrument original
B8C1230
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Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET
B3D4.5C50
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BYT12PI 1000V 12A Diodo ultrarapido. 2 UNIDADES
BYT 12PI DIODO RECTIFICADOR DE RECUPERACIÓN RÁPIDA CAPACIDAD DE VOLTAJE MUY ALTO INVERSO
1000v 12A
B8C620
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K30n60h3, K30h603, Ikw30h603 Transistor Igbt. Original.
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 187W
Tensión colector-emisor (Vce): 600V
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.95V
Tensión emisor-compuerta (Veg):
Corriente del colector DC máxima (Ic): 60A
Temperatura operativa máxima (Tj), °C:
Tiempo de elevación:
Capacitancia de salida (Cc), pF:
Empaquetado / Estuche: TO247
B7D1342
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Pack 3 STM4417 4417 SOP8 100 unids Mosfets alta calidad
Mosleader SOP8 100 unids STM4417 4417 Mosfets alta calidad
B11A7.8C100
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MJE15032G Transistor NPN 250 V, 8A.Lote 3 unidades
El TD-MJE15032G es un transistor de energía diseñado para su uso como conductores de alta frecuencia en amplificadores de audio con alta ganancia de corriente DC y con gran ancho de banda de ganancia actual
B12B1C20
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Caja ciega exterior/interior 108x108x64.IP67
Elegante caja para conexionado. Material plástico de alta resistencia, protección UV e IP67. Diseñada para exterior/interior. Tapa superior con 4 cierres plásticos gruesos de media vuelta. Ideal para montar cámaras en altura sobrepuestas en su tapa o para proteger fuentes de poder, balun, etc.
SVD318
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GSSTTH12R06DI 3 UNIDADES
TURBO 2 RECTIFICADOR DE ALTO VOLTAJE Y VELOCIDAD ULTRA™
B7C1345
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