El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, conocido por su alta eficiencia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta simple de los MOSFET con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación de los transistores bipolares al combinar un FET de puerta aislada para la entrada de control y un transistor de potencia bipolar como interruptor, en un solo dispositivo.

B9A5C16