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    Diodo P6KE200A Zener Unidireccional 200 V. Pack 10 unidades

    Diodo P6KE200A Zener Unidireccional y Bidireccional 200 V. Pack 10 unidades
    Diodo P6KE200A Zener Unidireccional y Bidireccional 200 V. Pack 10 unidadesDiodo P6KE200A Zener Unidireccional y Bidireccional 200 V. Pack 10 unidades
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    Diodo P6KE200A Zener Unidireccional 200 V. Pack 10 unidades

    Diodo P6KE200A zener supresor de voltaje transitorio unidireccional. Está diseñado para proteger los componentes sensibles de altos voltaje. El diodo también tiene una excelente capacidad de sujeción, alta capacidad de alto voltaje, baja impedancia zener y tiempo de respuesta rápida. Está perfectamente adaptado para su uso en sistemas de comunicación, controles numéricos, controles de proceso, equipos médicos, equipos de oficina, suministros de energía y muchas otras aplicaciones industriales

    B7B9-11C60

    $5.497 Neto
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    Lote 3 Unidades HD74LS273P Flip Flop Tipo D(x8), 5V, 30MHz, DIP20

    Lote 3 Unidades HD74LS273P Flip Flop Tipo D(x8), 5V, 30MHz, DIP20
    Lote 3 Unidades HD74LS273P Flip Flop Tipo D(x8), 5V, 30MHz, DIP20Lote 3 Unidades HD74LS273P Flip Flop Tipo D(x8), 5V, 30MHz, DIP20
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    Lote 3 Unidades HD74LS273P Flip Flop Tipo D(x8), 5V, 30MHz, DIP20

    El flip-flop tipo D es un elemento de memoria que puede almacenar información en forma de un “1” o “0” lógicos. Este flip-flop tiene una entrada D y dos salidas Q y Q. También tiene una entrada de reloj, que en este caso, nos indica que es un FF disparado por el borde o flanco descendente (ver el triángulo y la pequeña esfera en la entrada en los diagramas inferiores). Si el flip flop se disparara por el borde ascendente sólo aparecería el triángulo (no hay la pequeña esfera).

    B1A511

    $5.504 Neto
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    MJE15033G Transistor PNP -250 V, -8 A. Lote 3 unidades

    MJE15033G Transistor
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    MJE15033G Transistor PNP -250 V, -8 A. Lote 3 unidades
    El MJE15033G es un transistor de potencia PNP diseñado para su uso como un conductor de alta frecuencia en amplificadores de audio. Gran ancho de banda de ganancia de corriente y alta ganancia de corriente DC.

    – 62.5 ° C / W Resistencia térmica de unión a ambiente
    – 2.5 ° C / W Resistencia térmica de unión a caja

    B12B2C20

    $5.515 Neto
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    TNY268PN (Pack de 4 unidades)

    TNY268PN (Pack de 4 unidades)
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    TNY268PN (Pack de 4 unidades)

    Componente Electrónico categoría Conversor CA/DC 15W 85-265 VAC 19W/230 VAC

    • Voltaje de salida: 5.8 V
    • Potencia de salida: 15 W
    • Tensión de entrada / alimentación – Mín.: 85 VAC
    • Tensión de entrada / alimentación – Máx.: 265 VAC

    B11D13C92

    $5.520 Neto
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    Mini voltímetro y amperimetro probador Digital voltaje y ampareje prueba batería DC 0-100V rojo 10a azul

    Mini voltímetro y amperimetro probador Digital voltaje y ampareje prueba batería DC 0-100V rojo 10a azul
    Mini voltímetro y amperimetro probador Digital voltaje y ampareje prueba batería DC 0-100V rojo 10a azulMini voltímetro y amperimetro probador Digital voltaje y ampareje prueba batería DC 0-100V rojo 10a azul
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    Mini voltímetro y amperimetro probador Digital voltaje y ampareje prueba batería DC 0-100V rojo 10a azul

    Mini voltímetro y amperimetro probador Digital voltaje y ampareje prueba batería DC 0-100V rojo 10a azul

    BI3ES1200

    $5.530 Neto
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    AO4606 RM4606S8 Circuito integrado, 2 transistores MOSFET SOIC8.2 Unidades

    AO4606 Circuito integrado, 2 transistores MOSFET A04606S SOIC8
    AO4606 Circuito integrado, 2 transistores MOSFET A04606S SOIC8AO4606 Circuito integrado, 2 transistores MOSFET A04606S SOIC8
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    AO4606 RM4606S8 Circuito integrado, 2 transistores MOSFET SOIC8.2 Unidades

    Circuito integrado
    Ref.: AO4606
    Codigo: 4606
    Tipo: 2 transistores MOS-FET N y P
    VDSS: +30V -30V
    ID: N= 6A, P= -6,5A
    PD: 2+2W
    TSTG: -55 a +150ºC
    Encapsulado: SOIC-8

    B12C1086

    $5.540 Neto
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    Toshiba IGBT GT50JR22 600V,50A

    Toshiba LGBT GT50JR22 transistor bipolar
    Toshiba LGBT GT50JR22 transistor bipolarToshiba LGBT GT50JR22 transistor bipolar
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    Toshiba IGBT GT50JR22 600V,50A

    IGBT, Toshiba 600V, 50A

    El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

    B7C11.12C22

    $5.546 Neto
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    DG309CJ

    DG309CJ
    DG309CJDG309CJ
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    DG309CJ

     
    Los DG308A / DG309 son interruptores analógicos cuádruples de un solo paso (SPST). 
    El DG308A está normalmente abierto (SPST, NO), mientras que el DG309 está normalmente cerrado (SPST, NC). 

    B7A15 44
    $5.546 Neto
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  • AGOTADO
    Lote 15 Unidades NE555P Timer de alta precisión, 16V, 200mALote 15 Unidades NE555P Timer de alta precisión, 16V, 200mA
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    Lote 10 Unidades NE555P Timer de alta precisión, 16V, 200mA

    El dispositivo NE555 es un circuito integrado muy estable cuya función primordial es la de producir pulsos de temporización con una gran precisión y que, además, puede funcionar como oscilador.

    Modos de funcionamiento:

    Monoestable.
    Astable.

    Aplicaciones:

    Temporizador.
    Oscilador.
    Divisor de frecuencia.
    Modulador de frecuencia.
    Generador de señales triangulares

    B1A109

    $5.590 Neto
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    FGH40N60UFD IGBT 600V,40A.Original

    FGH40N60 IGBT de Parada de Tiempo, 600V,40A
    FGH40N60 IGBT de Parada de Tiempo, 600V,40AFGH40N60 IGBT de Parada de Tiempo, 600V,40A
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    FGH40N60UFD IGBT 600V,40A.Original

    Usando la nueva tecnología IGBT de parada de campo. Los IGBT FGH40N60 ofrecen el redimiento ótimo para un inversor solar, UPS, aplicaciones de soldador, microondas, telecomunicaciones, ESS y PFC, donde la baja de conducción y las pérdidas de conmutación son esenciales.

    B7C1-3C44

    $5.590 Neto
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    Transistor FS5ASJ Mosfet. Pack de 3 unidades

    Transistor FS5ASJ Mosfet. Pack de 3 unidades
    Transistor FS5ASJ Mosfet. Pack de 3 unidadesTransistor FS5ASJ Mosfet. Pack de 3 unidades
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    Transistor FS5ASJ Mosfet. Pack de 3 unidades

    Número de Parte: FS5ASJ-2

    Tipo de FET: MOSFET

    Polaridad de transistor: N

    B11C15C29

    $5.590 Neto
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    Relé 24VDC NA/NC. Lote 5 unidades.

    Relé 24VDC NA/NC
    Relé 24VDC NA/NCRelé 24VDC NA/NC
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    Relé 24VDC NA/NC. Lote 5 unidades.

    Este relé de 24 volts, modelo SRD-24VDC-SL-C, es ampliamente utilizado en electrónica para proveer aislamiento y conmutar cargas (resistivas) de corriente alterna de hasta 10 Amperes. Su configuración es SPDT (un polo, dos tiros) y su montaje es en circuito impreso de orificio pasante.

    Características:

    •    Tensión Nominal Bobina: 24VDC
    •    Corriente Nomina Bobina: 15 a 20mA
    •    Resistencia Bobina: 1260 a 1300 ohm
    •    Potencia Bobina: 0.45W
    •    Capacidad para Carga Resistiva: 28VDC@7A, 125VAC@10A, 240VAC@7A
    •    Capacidad para Carga Inductiva: 120VAC@5A, 28VDC@5A
    •    Máxima Tensión: 250VAC

    BI5*B450

    $5.597 Neto
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