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    L6562A 4 UNIDADES

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    L6562A 4 UNIDADES

    El L6562A es un controlador PFC de modo actual que funciona en modo de transición (TM). Viniendo con el mismo pin-out que sus predecesores L6561 y L6562, ofrece un rendimiento mejorado.

    B4C79

    $3.605 Neto
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    IRG71C28U IGBT 600V 12A a 100ªC. PACK 2 UNIDADES

    IRG71C28U 2 UNIDADES
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    IRG71C28U IGBT 600V 12A a 100ªC. PACK 2 UNIDADES

    Este IGBT está diseñado específicamente para aplicaciones en paneles de pantalla de plasma. Este dispositivo utiliza avanzadas tecnología IGBT de trinchera para obtener un bajo VCE (encendido) y bajo nivel de EPULSETM por área de silicio que mejora el panel eficiencia. Las características adicionales son una temperatura de unión de funcionamiento de 150 ° C y una corriente de pico alta y repetitiva capacidad. Estas características se combinan para hacer de este IGBT un dispositivo altamente eficiente, robusto y confiable para PDP aplicaciones

    B5C4.5C50

    $4.290 Neto
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    K50T60, Ikw50n60t,Igbt K50n60, 50A a 100ºC

    K50T60
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    K50T60, Ikw50n60t,Igbt K50n60, 50A a 100ºC

    Transistor Igbt  K50t60 To-247 50a 600v

    B7A7.8.9C71

    $4.454 Neto
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    30F124 Transistor Mosfet. Pack 5 UNIDADES

    30F124 5 UNIDADES
    30F124 5 UNIDADES30F124 5 UNIDADES
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    30F124 Transistor Mosfet. Pack 5 UNIDADES

    Transistor 30F124 Mosfet IGBT TO220 300 V 30 A

    B9B2C108

    $4.622 Neto
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    RJP63F3A IGBT 630 40A

    RJP63F3A
    RJP63F3ARJP63F3A
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    RJP63F3A IGBT 630 40A

    RJP63F3A – 630V 40A N-ch IGBT – Renesas  630V 40A N-ch IGBT TO-220FL

    B8A8.9C96

    $4.697 Neto
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    G80N60UFD IGBT NPN,600V, 40A

    G80N60UFD Transistor IGBT NPN
    G80N60UFD Transistor IGBT NPNG80N60UFD Transistor IGBT NPN
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    G80N60UFD IGBT NPN,600V, 40A

    Ref.: TD-G80N60UFD
    Codigo fabricante: G80N60 UFD
    Tipo: IGBT ultrafast con diodo 
    Canal: N + diodo
    VCES: 600V
    IC: 40A
    ICM: 220A
    PD: 195W
    TJ: 150ºC
    TSTG: -55ºC a +150ºC
    Encapsulado: TO-3P

    B11C1.2C37

    $4.900 Neto
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    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor

    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor
    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor
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    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor

    ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

    Disipación total del dispositivo (Pc): 66

    Tensión colector-emisor (Vce): 650

    Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.65

    Tensión emisor-compuerta (Veg): 30

    Corriente del colector DC máxima (Ic): 15

    Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

    Tiempo de elevación: 20

    Capacitancia de salida (Cc), pF: 35

    Empaquetado / Estuche: TO263

    B11C8.9.10.11C84

    $4.900 Neto
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    Pack 3 unidades FGPF4633 PDP IGBT, 330V, 300A

    FGPF4633 PDP IGBT, 330V, 300A
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    Pack 3 unidades FGPF4633 PDP IGBT, 330V, 300A

    Este componente posee el óptimo rendimiento para aplicaciones de PDP donde la baja conducción y las perdidas de swtiching son ecenciales.

    B5B1512

    $4.958 Neto
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    K40T1202, IKW40N120T2 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 480W

    K40T1202, IKW40N120T2 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 480W
    -35%
    K40T1202, IKW40N120T2 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 480WK40T1202, IKW40N120T2 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 480W
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    K40T1202, IKW40N120T2 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 480W

    Descripción:

    1. Tiempo de resistencia a cortocircuito – 10us
    2. Diseñado para:
    – Convertidores de frecuencia
    – Suministro de energía ininterrumpida
    3. TrenchStop® de segunda generación para aplicaciones de 1200 V ofrece:
    – distribución de parámetros muy ajustada
    – alta robustez, comportamiento estable a la temperatura
    4. Capacidad de paralelismo fácil debido al coeficiente de temperatura positivo en VCE (sat)
    5. Baja EMI
    6. Carga baja de la puerta
    7. Muy suave, recuperación rápida anti-paralelo Emitio controlado por emisor
    8. Calificado según JEDEC1 para aplicaciones de destino
    9. Recubrimiento de plomo sin Pb; RoHS

    B8A1130

    $4.988 Neto
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    K30n60h3, K30h603, Ikw30h603 Transistor Igbt. Original.

    K30N60H3 TRANSISTOR IGBT
    K30N60H3 TRANSISTOR IGBTK30N60H3 TRANSISTOR IGBT
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    K30n60h3, K30h603, Ikw30h603 Transistor Igbt. Original.

    ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

    Disipación total del dispositivo (Pc): 187W

    Tensión colector-emisor (Vce): 600V

    Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.95V

    Tensión emisor-compuerta (Veg):

    Corriente del colector DC máxima (Ic): 60A

    Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

    Tiempo de elevación:

    Capacitancia de salida (Cc), pF:

    Empaquetado / Estuche: TO247

    B7D1342

    $5.050 Neto
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    FGH40N60UFD IGBT 600V,40A.Original

    FGH40N60 IGBT de Parada de Tiempo, 600V,40A
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    FGH40N60UFD IGBT 600V,40A.Original

    Usando la nueva tecnología IGBT de parada de campo. Los IGBT FGH40N60 ofrecen el redimiento ótimo para un inversor solar, UPS, aplicaciones de soldador, microondas, telecomunicaciones, ESS y PFC, donde la baja de conducción y las pérdidas de conmutación son esenciales.

    B7C1-3C44

    $5.590 Neto
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    63-6008pbf IGBT Maquinas De Soldar Kemppi Minarc

    63-6008pbf Maquinas De Soldar Kemppi Minarc
    63-6008pbf Maquinas De Soldar Kemppi Minarc63-6008pbf Maquinas De Soldar Kemppi Minarc
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    63-6008pbf IGBT Maquinas De Soldar Kemppi Minarc

    Este es el reemplazo para el IGBT 63-6008pbf que es usado en maquinas de soldar kemppi minarc.

    B12B7C1108

    $5.980 Neto
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