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    K30n60h3, K30h603, Ikw30h603 Transistor Igbt. Original.

    K30N60H3 TRANSISTOR IGBT
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    K30n60h3, K30h603, Ikw30h603 Transistor Igbt. Original.

    ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

    Disipación total del dispositivo (Pc): 187W

    Tensión colector-emisor (Vce): 600V

    Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.95V

    Tensión emisor-compuerta (Veg):

    Corriente del colector DC máxima (Ic): 60A

    Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

    Tiempo de elevación:

    Capacitancia de salida (Cc), pF:

    Empaquetado / Estuche: TO247

    B7D1342

    $5.050 Neto
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