Product Tag - mosfet

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    IRFB38N20D FFB38N20D Transistor mosfet, 43 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB. Pack 3 unidades

    IRFB38N20D, Transistor mosfet, 43 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB. Pack 3 unidades
    IRFB38N20D, Transistor mosfet, 43 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB. Pack 3 unidadesIRFB38N20D, Transistor mosfet, 43 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB. Pack 3 unidades
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    IRFB38N20D FFB38N20D Transistor mosfet, 43 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB. Pack 3 unidades

    MOSFET, IRFB38N20D, N-Canal-Canal, 43 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB

    B11B1S13C47

    $4.890 Neto
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    4407A LOTE 2 UNIDADES

    4407a x2
    4407a x24407a x2
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    4407A LOTE 2 UNIDADES

    AO4407A 30V P-Channel MOSFET X2un

    B8B3S11C30

    $4.899 Neto
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    IRFZ48 original mosfet , 60 V, 50A. Pack 4 unidades

    IRFZ48 original mosfet , 60 V, 50A. Pack 4 unidades
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    IRFZ48 original mosfet , 60 V, 50A. Pack 4 unidades

    Transistor Mosfet original IRFZ48 60v 50a

    B12C7200

    $4.900 Neto
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    FTP50N20R Mosfet 200V 50A TO-220 Pack 2 unidades

    FTP50N20R. Mosfet 200-220v 50a. Pack 2 unidades
    FTP50N20R. Mosfet 200-220v 50a. Pack 2 unidadesFTP50N20R. Mosfet 200-220v 50a. Pack 2 unidades
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    FTP50N20R Mosfet 200V 50A TO-220 Pack 2 unidades

    Transistor Mosfet FTP50N20R 200V 50A, TO-220

    B8D5.6C34

    $4.930 Neto
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    Lote 2 Unidades L6219DS Mosfet de potenciador de motor paralelo 24-SOIC

    Lote 2 Unidades Mosfet de potenciador de motor paralelo 24-SOIC
    Lote 2 Unidades Mosfet de potenciador de motor paralelo 24-SOICLote 2 Unidades Mosfet de potenciador de motor paralelo 24-SOIC
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    Lote 2 Unidades L6219DS Mosfet de potenciador de motor paralelo 24-SOIC

    El Mosfet L6219DS es un circuito integrado bipolar monolítico destinado a el control ambas bobinas de un motor bipolar paso a paso.

    B4D1348

    $4.958 Neto
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    2SK3160 , K3160, MOSFET 10A 200V. Pack 2 unidades

    2SK3160 , K3160, MOSFET 10A 200V. Pack 2 unidades
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    2SK3160 , K3160, MOSFET 10A 200V. Pack 2 unidades

    Transistor Mosfet 2SK3160 200V 10A

    B12B9C12

    $4.990 Neto
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    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades

    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades
    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidadesTransistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades
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    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades

    El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET

    B3D4.5C50

    $4.990 Neto
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    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades

    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades
    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidadesTransistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades
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    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades

    El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET

    B3D4.5C50

    $4.990 Neto
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    Pack 3 STM4417 4417 SOP8 100 unids Mosfets alta calidad

    Mosleader SOP8 100 unids STM4417 4417 Mosfets alta calidad
    Mosleader SOP8 100 unids STM4417 4417 Mosfets alta calidadMosleader SOP8 100 unids STM4417 4417 Mosfets alta calidad
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    Pack 3 STM4417 4417 SOP8 100 unids Mosfets alta calidad

    Mosleader SOP8 100 unids STM4417 4417 Mosfets alta calidad

    B11A7.8C100

    $5.100 Neto
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    IRF1010E 3 UNIDADES

    IRF1010E LOTE X 3
    IRF1010E LOTE X 3IRF1010E LOTE X 3
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    IRF1010E 3 UNIDADES

    IRF1010E MOSFET DE PODER CANAL N

    B4D1227

    $5.277 Neto
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    Pack de 2 Unidades IRFB4410 HEXFET Power MOSFET Transistor

    Lote 2 Unidades HEXFET Power MOSFET Transistor
    Lote 2 Unidades HEXFET Power MOSFET TransistorLote 2 Unidades HEXFET Power MOSFET Transistor
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    Pack de 2 Unidades IRFB4410 HEXFET Power MOSFET Transistor

    El MOSFET IRFB4410 es empleado en circuitos de rectificación sincronizada de alta eficiencia en SMPS, fuentes de alimentación ininterrumpibles, circuitos de alta frecuencia, etc.

    B4D5C35

    $5.462 Neto
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    Pack de 3 Unidades FDPF51N25 MOSFET Canal N, 250V, 51A, 60mΩ

    Lote 3 Unidades FDPF51N25 MOSFET Canal N, 250V, 51A, 60mΩ
    Lote 3 Unidades FDPF51N25 MOSFET Canal N, 250V, 51A, 60mΩLote 3 Unidades FDPF51N25 MOSFET Canal N, 250V, 51A, 60mΩ
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    Pack de 3 Unidades FDPF51N25 MOSFET Canal N, 250V, 51A, 60mΩ

    El FDPF51N25 es un MOSFET semiconductor de alto voltaje basado en la tecnología DMOS. Este MOSFET está diseñado para reducir la resistencia y para proporcionar un mejor rendimiento del switching y una mayor fuerza de energía de avalancha.

    B8B919

    $5.462 Neto