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    Transistor FS5ASJ Mosfet. Pack de 3 unidades

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    Transistor FS5ASJ Mosfet. Pack de 3 unidades

    Número de Parte: FS5ASJ-2

    Tipo de FET: MOSFET

    Polaridad de transistor: N

    B11C15C29

    $5.590 Neto
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    17N80C3 Transistor MOSFET

    17N80C3 Transistor
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    17N80C3 Transistor MOSFET

    CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

    Carga de compuerta (Qg): 91 nC

    Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.29 Ohm

    **Nota Encapsulados: TO220 Y TO-3PL

    B9A7C14

    $5.790 Neto
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    IRFI4321 MOSFET transistor Lote 2 unidades

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    IRFI4321 MOSFET transistor Lote 2 unidades
    • Voltaje de ruptura de drenaje a fuente: 150 V
    • Voltaje de puerta a fuente, máx .: ± 30 V
    • Resistencia en estado de drenaje-fuente, máx .: 16,000 Ohm
    • Intensidad Drenador Continua: 34 A
    • Carga total de la puerta: 73 nC
    • Disipación de potencia: 46 W

    B12B4S2C25

    $5.950 Neto
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    Pack de 3 Unidades FQA11N90C MOSFET N-Channel 11A 900V

    Lote 4 Unidades MOSFET N-Channel 11A 900V
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    Pack de 3 Unidades FQA11N90C MOSFET N-Channel 11A 900V

    EL FQA11N90C esta construido a base de la tecnología CMOS, especializada en minimizar la resistencia, hacer un efecto de “switching” más eficaz, etc.

    B12D1037

    $6.780 Neto
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    TDA7851L

    TDA7851L
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    TDA7851L

    Audio Amplificador 4 x 50 W MOSFET Quad Bridge Power Amplifier

    B4B1-37

    $7.185 Neto
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    FQA70N15 ,2unidades MOSFET semiconductor de Potencia

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    FQA70N15 ,2unidades MOSFET semiconductor de Potencia

    : Canal N 
    : 150V 
    : 70A 
    : 0.023ohm 
    : TO-3PN 
    : Orificio Pasante 
    : 10V 
    : 4V 
    : 330W 
    : 3Pines 
    : 17
    : – 
    :

    B12C1.2.3C20

    $7.500 Neto
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    IXFR80N50P Silicon N-Channel MOSFET Transistor 500V, 45A

    Silicon N-Channel MOSFET Transistor 500V, 45A
    Silicon N-Channel MOSFET Transistor 500V, 45ASilicon N-Channel MOSFET Transistor 500V, 45A
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    IXFR80N50P Silicon N-Channel MOSFET Transistor 500V, 45A

    Este mosfet puede ser utilizado en diferentes ocaciones, como por ejemplo en circuito tipo CMOS, circuitos de conmutación de frecuencia, resistencias controladas por tensión, etc.

    B1D158

    $12.544 Neto
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  • AGOTADO
    FM600TU-2A Modulo Mosfet de alta potencia. MitsubishiFM600TU-2A Modulo Mosfet de alta potencia. Mitsubishi
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    FM600TU-2A Modulo Mosfet de alta potencia. Mitsubishi

    El FM600TU-2A es un módulo MOSFET de alta potencia de canal N fabricado por Mitsubishi Electric, diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de baja tensión y alta corriente. Este módulo consta de 6 conmutadores MOSFET con bajo RDS (ENCENDIDO) y un diodo de cuerpo de recuperación rápida para producir una baja pérdida. Todos los componentes e interconexiones están aislados de la placa base del disipador de calor. Esto ofrece un montaje simplificado del sistema y gestión térmica.

    Bi0

    $297.740 Neto
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