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Transistor FS5ASJ Mosfet. Pack de 3 unidades
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$5.590 NetoNúmero de Parte: FS5ASJ-2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
B11C15C29
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17N80C3 Transistor MOSFET
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$5.790 NetoCARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 91 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.29 Ohm
**Nota Encapsulados: TO220 Y TO-3PL
B9A7C14
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IRFI4321 MOSFET transistor Lote 2 unidades
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$5.950 Neto- Voltaje de ruptura de drenaje a fuente: 150 V
- Voltaje de puerta a fuente, máx .: ± 30 V
- Resistencia en estado de drenaje-fuente, máx .: 16,000 Ohm
- Intensidad Drenador Continua: 34 A
- Carga total de la puerta: 73 nC
- Disipación de potencia: 46 W
B12B4S2C25
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Pack de 3 Unidades FQA11N90C MOSFET N-Channel 11A 900V
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$6.780 NetoEL FQA11N90C esta construido a base de la tecnología CMOS, especializada en minimizar la resistencia, hacer un efecto de “switching” más eficaz, etc.
B12D1037
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TDA7851L
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$7.185 NetoAudio Amplificador 4 x 50 W MOSFET Quad Bridge Power Amplifier
B4B1-37
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FQA70N15 ,2unidades MOSFET semiconductor de Potencia
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$7.500 Neto: Canal N
: 150V
: 70A
: 0.023ohm
: TO-3PN
: Orificio Pasante
: 10V
: 4V
: 330W
: 3Pines
: 17
: –
:B12C1.2.3C20
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IXFR80N50P Silicon N-Channel MOSFET Transistor 500V, 45A
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$12.544 NetoEste mosfet puede ser utilizado en diferentes ocaciones, como por ejemplo en circuito tipo CMOS, circuitos de conmutación de frecuencia, resistencias controladas por tensión, etc.
B1D158
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AGOTADO
Leer másVista RápidaFM600TU-2A Modulo Mosfet de alta potencia. Mitsubishi
$297.740 NetoEl FM600TU-2A es un módulo MOSFET de alta potencia de canal N fabricado por Mitsubishi Electric, diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de baja tensión y alta corriente. Este módulo consta de 6 conmutadores MOSFET con bajo RDS (ENCENDIDO) y un diodo de cuerpo de recuperación rápida para producir una baja pérdida. Todos los componentes e interconexiones están aislados de la placa base del disipador de calor. Esto ofrece un montaje simplificado del sistema y gestión térmica.
Bi0
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