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    Transistor k2372

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    Transistor k2372

    Transistor N-CHANNEL MOSFET de potencia

    B9B6C27

    $3.590 Neto
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    Transistor BD135 NPN 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines Pack 6 unidades

    Transistor, BD135, NPN 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines Pack 6 unidades
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    Transistor BD135 NPN 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines Pack 6 unidades
    *Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 0,5 V
    *Temperatura de Funcionamiento Máxima:+150 °C
    *Number of Elements per Chip: Monopolar
    *Longitud: 7.8mm
    *Maximum Collector Base Voltage: 45 V
    *Transistor Configuration: Simple
    *Brand ST: Microelectronics
    *Tensión Máxima Colector-Emisor:45 V
    *Tipo de Encapsulado: SOT-32
    *Disipación de Potencia Máxima: 1250 mW
    *Tipo de montaje:Montaje en orificio pasante
    *Temperatura Mínima de Funcionamiento: -65 °C
    *Profundidad: 2.7mm
    *Corriente DC Máxima del Colector:3 A
    *Transistor Type :NPN
    *Altura:10.8mm
    *Conteo de Pines:0
    *Dimensiones del Cuerpo: 10.8 x 7.8 x 2.7mm
    *Maximum Emitter Base Voltage: 5.0 V
    *Ganancia Mínima de Corriente: DC 25
    B12DS4C20
    $3.660 Neto
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    2 unidades de Transistor 2sk9002 unidades de Transistor 2sk900
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    2 unidades de Transistor 2sk900

    Transistor 2sk900

    Número de Parte: 2SK900

    Tipo de FET: MOSFET

    Polaridad de transistor: N

    ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

    Disipación total del dispositivo (Pd): 80 W

    Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

    Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

    Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

    Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

    CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

    Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1800 pF

    Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.3 Ohm

    Empaquetado / Estuche: TO220AB

    $3.900 Neto
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    Transistor, BD136, PNP 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines, Simple Pack 6 unidades

    Transistor, BD136, PNP 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines, Simple Pack 6 unidades
    Transistor, BD136, PNP 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines, Simple Pack 6 unidadesTransistor, BD136, PNP 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines, Simple Pack 6 unidades
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    Transistor, BD136, PNP 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines, Simple Pack 6 unidades
    *Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 0,5 V
    *Temperatura de Funcionamiento Máxima:+150 °C
    *Number of Elements per Chip: Monopolar
    *Longitud: 7.8mm
    *Maximum Collector Base Voltage: 45 V
    *Transistor Configuration: Simple
    *Brand ST: Microelectronics
    *Tensión Máxima Colector-Emisor:45 V
    *Tipo de Encapsulado: SOT-32
    *Disipación de Potencia Máxima: 1250 mW
    *Tipo de montaje:Montaje en orificio pasante
    *Temperatura Mínima de Funcionamiento: -65 °C
    *Profundidad: 2.7mm
    *Corriente DC Máxima del Colector:3 A
    *Transistor Type :NPN
    *Altura:10.8mm
    *Conteo de Pines:0
    *Dimensiones del Cuerpo: 10.8 x 7.8 x 2.7mm
    *Maximum Emitter Base Voltage: 5.0 V
    *Ganancia Mínima de Corriente: DC 25
    B12B4S5C20
    $3.900 Neto
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    Pack 2 TRANSISTORES Silicio NPN Triple Difuso

    TRANSISTOR Silicio NPN Triple Difuso
    TRANSISTOR Silicio NPN Triple DifusoTRANSISTOR Silicio NPN Triple Difuso
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    Pack 2 TRANSISTORES Silicio NPN Triple Difuso

    TRANSISTOR Silicio NPN Triple Difuso AMPLIFICADOR DE POTENCIA DE BAJA FRECUENCIA

    B4A14C25

    $3.908 Neto
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    2SA1943 original Toshiba, 230V, 15A, 150W

    Lote 6 Unidades TTA1943 Silicon PNP Transistor, 230V, 15A, 150W, 2-21F1A
    Lote 6 Unidades TTA1943 Silicon PNP Transistor, 230V, 15A, 150W, 2-21F1ALote 6 Unidades TTA1943 Silicon PNP Transistor, 230V, 15A, 150W, 2-21F1A
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    2SA1943 original Toshiba, 230V, 15A, 150W

    El 2SA1943 es un amplificador operacional de potencia que, además, complementa al 2SC5200 y su aplicación está recomendada para salidas de audio de frecuencia de alta fidelidad de 100W.

    B9D1-381

    $3.990 Neto
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    IRF740 Pack de 2 Unidades

    IRF740 LOTE 2 X
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    IRF740 Pack de 2 Unidades

    IRF740. Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar, conmutación de potencia de alta velocidad, convertidores, Suministro de energía ininterrumpida (UPS).

    B6D13C44

    $4.000 Neto
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    C2383 10 UNIDADES

    C2383 10 UNIDADES
    C2383 10 UNIDADESC2383 10 UNIDADES
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    C2383 10 UNIDADES

    TOSHIBA Transistor Silicon NPN tipo epitaxial (Proceso PCT) 2SC2383 Aplicaciones de salida de desviación vertical de TV en color Aplicaciones de salida de sonido de TV de color clase.

    B5D11C190

    $4.000 Neto
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    2N5462 Pack de 2 UNIDADES

    2N5462 4 UNIDADES
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    2N5462 Pack de 2 UNIDADES

    Transistor 2N5462 JFET Pequeña Señal CH P 40 V 4 mA

    B4B330

    $4.017 Neto
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    IRF9540N Pack de 3 Unidades.Mosfet -100V, -23A

    IRF9540N LOTE X 3
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    IRF9540N Pack de 3 Unidades.Mosfet -100V, -23A

    Transistor IRF9540N Mosfet TO220 CH N -100 V, -23 A

    B4D10.1148

    $4.118 Neto
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    2SA1837 LOTE X 8

    2SA1837 LOTE X 8
    2SA1837 LOTE X 82SA1837 LOTE X 8
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    2SA1837 LOTE X 8

    Transistor 2SA1837 TO220

    B3C3C4

    $4.193 Neto
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    fgh60n60smd Igbt 600v 60a, Con Diodo Damper.original

    fgh60n60smd Igbt 600v 60a, Con Diodo Damper.original
    fgh60n60smd Igbt 600v 60a, Con Diodo Damper.originalfgh60n60smd Igbt 600v 60a, Con Diodo Damper.original
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    fgh60n60smd Igbt 600v 60a, Con Diodo Damper.original

    FGH60N60SMD  

    B9D7-825

    $4.280 Neto
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