-
Transistor BD135 NPN 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines Pack 6 unidades
*Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 0,5 V*Temperatura de Funcionamiento Máxima:+150 °C*Number of Elements per Chip: Monopolar*Longitud: 7.8mm*Maximum Collector Base Voltage: 45 V*Transistor Configuration: Simple*Brand ST: Microelectronics*Tensión Máxima Colector-Emisor:45 V*Tipo de Encapsulado: SOT-32*Disipación de Potencia Máxima: 1250 mW*Tipo de montaje:Montaje en orificio pasante*Temperatura Mínima de Funcionamiento: -65 °C*Profundidad: 2.7mm*Corriente DC Máxima del Colector:3 A*Transistor Type :NPN*Altura:10.8mm*Conteo de Pines:0*Dimensiones del Cuerpo: 10.8 x 7.8 x 2.7mm*Maximum Emitter Base Voltage: 5.0 V*Ganancia Mínima de Corriente: DC 25B12DS4C20Vista Rápida -
AGOTADOLeer másVista Rápida
2 unidades de Transistor 2sk900
Transistor 2sk900
Número de Parte: 2SK900
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 80 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1800 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.3 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB
Leer másVista Rápida -
Transistor, BD136, PNP 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines, Simple Pack 6 unidades
*Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 0,5 V*Temperatura de Funcionamiento Máxima:+150 °C*Number of Elements per Chip: Monopolar*Longitud: 7.8mm*Maximum Collector Base Voltage: 45 V*Transistor Configuration: Simple*Brand ST: Microelectronics*Tensión Máxima Colector-Emisor:45 V*Tipo de Encapsulado: SOT-32*Disipación de Potencia Máxima: 1250 mW*Tipo de montaje:Montaje en orificio pasante*Temperatura Mínima de Funcionamiento: -65 °C*Profundidad: 2.7mm*Corriente DC Máxima del Colector:3 A*Transistor Type :NPN*Altura:10.8mm*Conteo de Pines:0*Dimensiones del Cuerpo: 10.8 x 7.8 x 2.7mm*Maximum Emitter Base Voltage: 5.0 V*Ganancia Mínima de Corriente: DC 25B12B4S5C20Vista Rápida -
Pack 2 TRANSISTORES Silicio NPN Triple Difuso
TRANSISTOR Silicio NPN Triple Difuso AMPLIFICADOR DE POTENCIA DE BAJA FRECUENCIA
B4A14C25
Vista Rápida -
2SA1943 original Toshiba, 230V, 15A, 150W
El 2SA1943 es un amplificador operacional de potencia que, además, complementa al 2SC5200 y su aplicación está recomendada para salidas de audio de frecuencia de alta fidelidad de 100W.
B9D1-381
Vista Rápida -
IRF740 Pack de 2 Unidades
IRF740. Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar, conmutación de potencia de alta velocidad, convertidores, Suministro de energía ininterrumpida (UPS).
B6D13C44
Vista Rápida -
C2383 10 UNIDADES
TOSHIBA Transistor Silicon NPN tipo epitaxial (Proceso PCT) 2SC2383 Aplicaciones de salida de desviación vertical de TV en color Aplicaciones de salida de sonido de TV de color clase.
B5D11C190
Vista Rápida -
2N5462 Pack de 2 UNIDADES
Transistor 2N5462 JFET Pequeña Señal CH P 40 V 4 mA
B4B330
Vista Rápida -
IRF9540N Pack de 3 Unidades.Mosfet -100V, -23A
Transistor IRF9540N Mosfet TO220 CH N -100 V, -23 A
B4D10.1148
Vista Rápida
- Inicio
- Servicios
- Seguridad
- CCTV
- CERCO ELÉCTRICO
- INCENDIO
- ALARMAS
- ALMACENAMIENTO CCTV
- CONTROL DE ACCESO
- AUTOMATIZACIÓN
- TELEFONÍA INTERNA
- ENERGIA
- CABLES Y CONEXIONADO
- REDES
- DSS/Software
- Electrónica
- Nutrición y salud
- Blog