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    IRG71C28U IGBT 600V 12A a 100ªC. PACK 2 UNIDADES

    IRG71C28U 2 UNIDADES
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    IRG71C28U IGBT 600V 12A a 100ªC. PACK 2 UNIDADES

    Este IGBT está diseñado específicamente para aplicaciones en paneles de pantalla de plasma. Este dispositivo utiliza avanzadas tecnología IGBT de trinchera para obtener un bajo VCE (encendido) y bajo nivel de EPULSETM por área de silicio que mejora el panel eficiencia. Las características adicionales son una temperatura de unión de funcionamiento de 150 ° C y una corriente de pico alta y repetitiva capacidad. Estas características se combinan para hacer de este IGBT un dispositivo altamente eficiente, robusto y confiable para PDP aplicaciones

    B5C4.5C50

    $4.290 Neto
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    10 Unidades de Transistor ZDW PBSS5350T

    10 Unidades de Transistor PBSS5350T
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    10 Unidades de Transistor ZDW PBSS5350T

    ZDW micro transistorMontaje en superficie

    B5D1110

    $4.390 Neto
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    K50T60, Ikw50n60t,Igbt K50n60, 50A a 100ºC

    K50T60
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    K50T60, Ikw50n60t,Igbt K50n60, 50A a 100ºC

    Transistor Igbt  K50t60 To-247 50a 600v

    B7A7.8.9C71

    $4.454 Neto
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    NJW0302G Transistor Pack de 2 unidades.

    Transistor NJW0302G Pack de 2 unidades.
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    NJW0302G Transistor Pack de 2 unidades.

    Este dispositivo complementario es una version de un poder más bajo a los transistores de la salida audio popular de NJW3281G y de NJW1302G. Con linearidades del aumento y funcionamiento superiores del área de funcionamiento seguro, este transistor es ideal para las etapas de alta fidelidad de la salida del amplificador audio y otros usos lineares.

    B11C423

    $4.490 Neto
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    FS20KM-5 POWER MOSFET 250v,20A HIGH-SPEED.Mitsubishi

    FS20KM-5 POWER MOSFET 250v,20A HIGH-SPEED.Mitsubishi
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    FS20KM-5 POWER MOSFET 250v,20A HIGH-SPEED.Mitsubishi

    Número de Parte: FS20KM-5

    Tipo de FET: MOSFET

    Polaridad de transistor: N

    B12D12C20

    $4.490 Neto
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    FHP1404. Transistor mosfet original 40V 160a. Pack 3 unidades

    FHP1404. Transistor mosfet original 40V 160a. Pack 3 unidades
    FHP1404. Transistor mosfet original 40V 160a. Pack 3 unidadesFHP1404. Transistor mosfet original 40V 160a. Pack 3 unidades
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    FHP1404. Transistor mosfet original 40V 160a. Pack 3 unidades

    B8D3.4C43

    $4.590 Neto
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    30F124 Transistor Mosfet. Pack 5 UNIDADES

    30F124 5 UNIDADES
    30F124 5 UNIDADES30F124 5 UNIDADES
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    30F124 Transistor Mosfet. Pack 5 UNIDADES

    Transistor 30F124 Mosfet IGBT TO220 300 V 30 A

    B9B2C108

    $4.622 Neto
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  • AGOTADO
    J13009-2 TransistorJ13009-2 Transistor
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    j13009-2 Transistor alta potencia 12a/400v Original,Pack 3 unidades

    Características del artículo

    Información acerca de la condición
    Estado del artículo:Nuevo
    Package/Case:TO-220
    Categoria:Power Transistor
    Minima T° operatividad:-40 °C (-40 °F)
    Series:FJP13009-2
    Tipo:Transistor
    Numero de  Pines:3
    Maximo T° operatividad:105 °C (221 °F)
    B4A13
    $4.637 Neto
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    Pack de 3, Modulo transistor 2SD2141

    Pack de 3, Modulo transistor 2SD2141
    Pack de 3, Modulo transistor 2SD2141Pack de 3, Modulo transistor 2SD2141
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    Pack de 3, Modulo transistor 2SD2141

    Transistor de propósito general usado principalmente para conmutación o amplificación en placas electrónicas

    Número de Parte: 2SD2141

    Polaridad de transistor: NPN

    B8B1212

    $4.706 Neto
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    IRFD110 Pack de 4 UNIDADES

    IRFD110 4 UNIDADES
    IRFD110 4 UNIDADESIRFD110 4 UNIDADES
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    IRFD110 Pack de 4 UNIDADES

    Transistor IRFD110 Mosfet Pequeña Señal CH N 1 A 100 V 1.3 W

    B7A14C20

    $4.807 Neto
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    2SA1941 y 2SCC5198, PNP/NPN , 160V, 10A. El par.Original Toshiba.

    Lote 2 Pares de A1941 y C5198 Transistor de potencia NPN y PNP, 160V, 10A
    Lote 2 Pares de A1941 y C5198 Transistor de potencia NPN y PNP, 160V, 10ALote 2 Pares de A1941 y C5198 Transistor de potencia NPN y PNP, 160V, 10A
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    2SA1941 y 2SCC5198, PNP/NPN , 160V, 10A. El par.Original Toshiba.

    2SA1941/A1941 y 2SCC5198/C5198. Transistor de potencia bipolar, PNP/NPN , 160V, 10A.Lote 1 par

    (A1941) B8C3C7

    (C5198) B8C6C9

    $4.890 Neto
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    IRF540N MOSFET 100V, 20A a 100ºC, 33A a 25ºC. 3 UNIDADES

    IRF540N TRANSISTOR MOSFET
    IRF540N TRANSISTOR MOSFETIRF540N TRANSISTOR MOSFET
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    IRF540N MOSFET 100V, 20A a 100ºC, 33A a 25ºC. 3 UNIDADES

    MOSFET, N, 100V, 33A, TO-220

    Polaridad del transistor: Canal N

    Continuous Drain Current Id: 33A

    Drain Source Voltage Vds: 100V

    On Resistance Rds(on): 44mohm

    Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V

    Threshold Voltage Vgs Typ: 4V

    Transistor Case Style: TO-220AB

    N.º of Pins: 3

    Corriente, ID máx.: 33A

    Current Temperature: 25°C

    Marcador: IRF540N

    Full Power Rating Temperature: 25°C

    Junction to Case Thermal Resistance A: 1.1°C/W

    Lead Spacing: 2.54mm

    N.º of Transistors: 1

    Power Dissipation Pd: 94W

    B6D3.4C72

    $4.890 Neto
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