Producto de la Etiqueta - transistor

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    IRF540N MOSFET 100V, 20A a 100ºC, 33A a 25ºC. 3 UNIDADES

    IRF540N TRANSISTOR MOSFET
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    IRF540N MOSFET 100V, 20A a 100ºC, 33A a 25ºC. 3 UNIDADES

    MOSFET, N, 100V, 33A, TO-220

    Polaridad del transistor: Canal N

    Continuous Drain Current Id: 33A

    Drain Source Voltage Vds: 100V

    On Resistance Rds(on): 44mohm

    Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V

    Threshold Voltage Vgs Typ: 4V

    Transistor Case Style: TO-220AB

    N.º of Pins: 3

    Corriente, ID máx.: 33A

    Current Temperature: 25°C

    Marcador: IRF540N

    Full Power Rating Temperature: 25°C

    Junction to Case Thermal Resistance A: 1.1°C/W

    Lead Spacing: 2.54mm

    N.º of Transistors: 1

    Power Dissipation Pd: 94W

    B6D3.4C72

    $4.890 Neto
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    IRFB38N20D FFB38N20D Transistor mosfet, 43 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB. Pack 3 unidades

    IRFB38N20D, Transistor mosfet, 43 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB. Pack 3 unidades
    IRFB38N20D, Transistor mosfet, 43 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB. Pack 3 unidadesIRFB38N20D, Transistor mosfet, 43 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB. Pack 3 unidades
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    IRFB38N20D FFB38N20D Transistor mosfet, 43 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB. Pack 3 unidades

    MOSFET, IRFB38N20D, N-Canal-Canal, 43 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB

    B11B1S13C47

    $4.890 Neto
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    SF20A300HPI . TRANSISTOR RECTIFICADOR 300V 20A. PACK 4 UNIDADES

    SF20A200HPI . TRANSISTOR RECTIFICADOR 200V 20A. PACK 4 UNIDADES
    SF20A200HPI . TRANSISTOR RECTIFICADOR 200V 20A. PACK 4 UNIDADESSF20A200HPI . TRANSISTOR RECTIFICADOR 200V 20A. PACK 4 UNIDADES
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    SF20A300HPI . TRANSISTOR RECTIFICADOR 300V 20A. PACK 4 UNIDADES

    El SF20A300HPI es un rectificador ultrarrápido. Tiene una baja caída de tensión directa y un tiempo de recuperación inverso (trr <30ns). El dispositivo está diseñado para usarse como rectificador de sujeción de rueda libre en una variedad de fuentes de alimentación de conmutación y otras aplicaciones de conmutación de energía.

    B4B1150

    $4.896 Neto
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    G80N60UFD IGBT NPN,600V, 40A

    G80N60UFD Transistor IGBT NPN
    G80N60UFD Transistor IGBT NPNG80N60UFD Transistor IGBT NPN
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    G80N60UFD IGBT NPN,600V, 40A

    Ref.: TD-G80N60UFD
    Codigo fabricante: G80N60 UFD
    Tipo: IGBT ultrafast con diodo 
    Canal: N + diodo
    VCES: 600V
    IC: 40A
    ICM: 220A
    PD: 195W
    TJ: 150ºC
    TSTG: -55ºC a +150ºC
    Encapsulado: TO-3P

    B11C1.2C37

    $4.900 Neto
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    IRFZ48 original mosfet , 60 V, 50A. Pack 4 unidades

    IRFZ48 original mosfet , 60 V, 50A. Pack 4 unidades
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    IRFZ48 original mosfet , 60 V, 50A. Pack 4 unidades

    Transistor Mosfet original IRFZ48 60v 50a

    B12C7200

    $4.900 Neto
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    FTP50N20R Mosfet 200V 50A TO-220 Pack 2 unidades

    FTP50N20R. Mosfet 200-220v 50a. Pack 2 unidades
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    FTP50N20R Mosfet 200V 50A TO-220 Pack 2 unidades

    Transistor Mosfet FTP50N20R 200V 50A, TO-220

    B8D5.6C34

    $4.930 Neto
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    Pack 3 unidades FGPF4633 PDP IGBT, 330V, 300A

    FGPF4633 PDP IGBT, 330V, 300A
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    Pack 3 unidades FGPF4633 PDP IGBT, 330V, 300A

    Este componente posee el óptimo rendimiento para aplicaciones de PDP donde la baja conducción y las perdidas de swtiching son ecenciales.

    B5B1512

    $4.958 Neto
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    K40T1202, IKW40N120T2 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 480W

    K40T1202, IKW40N120T2 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 480W
    -35%
    K40T1202, IKW40N120T2 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 480WK40T1202, IKW40N120T2 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 480W
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    K40T1202, IKW40N120T2 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 480W

    Descripción:

    1. Tiempo de resistencia a cortocircuito – 10us
    2. Diseñado para:
    – Convertidores de frecuencia
    – Suministro de energía ininterrumpida
    3. TrenchStop® de segunda generación para aplicaciones de 1200 V ofrece:
    – distribución de parámetros muy ajustada
    – alta robustez, comportamiento estable a la temperatura
    4. Capacidad de paralelismo fácil debido al coeficiente de temperatura positivo en VCE (sat)
    5. Baja EMI
    6. Carga baja de la puerta
    7. Muy suave, recuperación rápida anti-paralelo Emitio controlado por emisor
    8. Calificado según JEDEC1 para aplicaciones de destino
    9. Recubrimiento de plomo sin Pb; RoHS

    B8A1130

    $4.988 Neto
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    2SK3160 , K3160, MOSFET 10A 200V. Pack 2 unidades

    2SK3160 , K3160, MOSFET 10A 200V. Pack 2 unidades
    2SK3160 , K3160, MOSFET 10A 200V. Pack 2 unidades2SK3160 , K3160, MOSFET 10A 200V. Pack 2 unidades
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    2SK3160 , K3160, MOSFET 10A 200V. Pack 2 unidades

    Transistor Mosfet 2SK3160 200V 10A

    B12B9C12

    $4.990 Neto
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    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades

    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades
    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidadesTransistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades
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    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades

    El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET

    B3D4.5C50

    $4.990 Neto
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    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades

    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades
    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidadesTransistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades
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    Transistor 30F126 Mosfet IGBT TO220 CH N 330 V 200 A. Pack 3 unidades

    El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET

    B3D4.5C50

    $4.990 Neto
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    K30n60h3, K30h603, Ikw30h603 Transistor Igbt. Original.

    K30N60H3 TRANSISTOR IGBT
    K30N60H3 TRANSISTOR IGBTK30N60H3 TRANSISTOR IGBT
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    K30n60h3, K30h603, Ikw30h603 Transistor Igbt. Original.

    ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

    Disipación total del dispositivo (Pc): 187W

    Tensión colector-emisor (Vce): 600V

    Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.95V

    Tensión emisor-compuerta (Veg):

    Corriente del colector DC máxima (Ic): 60A

    Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

    Tiempo de elevación:

    Capacitancia de salida (Cc), pF:

    Empaquetado / Estuche: TO247

    B7D1342

    $5.050 Neto
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