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NJW0281G TRANSISTOR Potencia LOTE 2 UNIDADES
Descripción
Transistor NJW0281G de potencia NPN, bipolar con la linealidad de ganancia superior y con un desempeño seguro para el área de operación. Este transistor es ideal para las etapas de salida del amplificador de audio de alta fidelidad y demás aplicaciones linealesB11C323Vista Rápida -
G30N60HS IGBT NTP, 600V, 30A a 100ºC.Pack 3 unidades.
El IGBT G30N60HS Infineon tiene la capacidad de conmutación paralela, de distribuír parámetros muy ajustados, son de alta robustez y tiene un comportamiento estable a la temperatura.
B7C4.5.6C80
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CT60AM-18F IGBT 900V, 60A Mitsubishi Original
APLICACIÓN:
Horno microondas
Aparatos de cocción electromagnéticos.
Ollas arroceras
Circuito inversor de voltaje inversor electrodomésticos.B11C13.14C25
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GT25Q101,Bipolar 1200V, 25A
Gt25q101 Toshiba Igbt To-3p Transistor Bipolar
B7C1310
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IRG4PC50UD igbt 600V 55A ultra rápido. Original IR
ConfiguracióN: Individual TensióN de emisor de colector VCEO Max: 600 V. TensióN de saturacióN del colector-emisor: 2 V. TensióN máXima del emisor de la puerta: 20 V. Corriente de colector continua a 25 C: 55 A PD – disipacióN de potencia: 200 W Temperatura de funcionamiento míNima: – 55 C. Embalaje: Tubo B10A14-1520
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GPS40B120U IGBT 1200V 40A ultra rapido.Original
GPS40B120U IGBT 1200V 40A ultra rápido
-Eficiencia de referencia para el control del motor.
-Rendimiento transitorio resistente.
-Bajo EMI.
-Se requiere significativamente menos amortiguamiento
B7D5-630
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AGOTADOLeer másVista Rápida
STD03N, STD03P (PAR)
STD03N Transistor Para Amplificadores de Audio.
Usados. En excelente estado.
B9C143
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