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    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor

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    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor

    ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

    Disipación total del dispositivo (Pc): 66

    Tensión colector-emisor (Vce): 650

    Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.65

    Tensión emisor-compuerta (Veg): 30

    Corriente del colector DC máxima (Ic): 15

    Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

    Tiempo de elevación: 20

    Capacitancia de salida (Cc), pF: 35

    Empaquetado / Estuche: TO263

    B11C8.9.10.11C84

    $4.900 Neto