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2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 66
Tensión colector-emisor (Vce): 650
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.65
Tensión emisor-compuerta (Veg): 30
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175
Tiempo de elevación: 20
Capacitancia de salida (Cc), pF: 35
Empaquetado / Estuche: TO263
B11C8.9.10.11C84
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