$3.344 Neto
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Tipo de transistor
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N-MOSFET | |
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Polarización
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unipolar | |
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Tensión drenaje-fuente
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500V | |
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Corriente del drenaje
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15A | |
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Carcasa
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2-16C1B | |
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Resistencia en estado de transferencia
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0.4Ω | |
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Montaje
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THT |
B3D8-930
Hay existencias
IRFD110 Pack de 4 UNIDADES
B7A14C20
IRF540N MOSFET 100V, 20A a 100ºC, 33A a 25ºC. 3 UNIDADES
MOSFET, N, 100V, 33A, TO-220
Polaridad del transistor: Canal N
Continuous Drain Current Id: 33A
Drain Source Voltage Vds: 100V
On Resistance Rds(on): 44mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
Threshold Voltage Vgs Typ: 4V
Transistor Case Style: TO-220AB
N.º of Pins: 3
Corriente, ID máx.: 33A
Current Temperature: 25°C
Marcador: IRF540N
Full Power Rating Temperature: 25°C
Junction to Case Thermal Resistance A: 1.1°C/W
Lead Spacing: 2.54mm
N.º of Transistors: 1
Power Dissipation Pd: 94W
B6D3.4C72
IXFR80N50P Silicon N-Channel MOSFET Transistor 500V, 45A
Este mosfet puede ser utilizado en diferentes ocaciones, como por ejemplo en circuito tipo CMOS, circuitos de conmutación de frecuencia, resistencias controladas por tensión, etc.
B1D158
Transistor 2sk900
Número de Parte: 2SK900
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Disipación total del dispositivo (Pd): 80 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1800 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.3 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB
W45nm50fd Mosfet N 500v RDSon 0,1ohm 45A
St W45nm50fd Mosfet N 500v 0.1ohm 45A
B5C9C11
