fgh60n60smd Igbt 600v 60a, Con Diodo Damper.original
$4.280 Neto
FGH60N60SMD
B9D7-825
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30J127 GT30J127 600V 200A IGBT Toshiba original.2 unidades
Corriente máxima de colector de CC: 200 A
MPN: 30J127
Temperatura máxima de funcionamiento: 105 ° C (221 ° F)
Categoría de transistor: Transistor de señal pequeña
Modelo: IGBT
Frecuencia máxima de funcionamiento: MHZ
Tipo de transistor: IGBT
Número de pines: 3
Ganancia mínima del amplificador de CC: 36,2 dB
Marca: Toshiba
Configuración: base común
Estilo de montaje: montaje en PCB
Temperatura mínima de funcionamiento: -40 ° C (-40 ° F)
Paquete / Caja: TO-220
B7D12C20
IGBT GW80H65DFB, STGW80H65DFB, STGW80H65, TO-247 650V 80A. STMicroelectronics
-Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
-High speed switching series
-Minimized tail current
-Very low saturation voltage: VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 80 A
-Tight parameters distribution
-Safe paralleling
-Low thermal resistance
-Very fast soft recovery antiparallel diode
-Lead free package Applications
-Photovoltaic inverters
-High frequency converter
B1014-1590
FGH40N60UFD IGBT 600V,40A.Original
Usando la nueva tecnología IGBT de parada de campo. Los IGBT FGH40N60 ofrecen el redimiento ótimo para un inversor solar, UPS, aplicaciones de soldador, microondas, telecomunicaciones, ESS y PFC, donde la baja de conducción y las pérdidas de conmutación son esenciales.
B7C1-3C44
Toshiba IGBT GT50JR22 600V,50A
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
B7C11.12C22
2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor
Disipación total del dispositivo (Pc): 66
Tensión colector-emisor (Vce): 650
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.65
Tensión emisor-compuerta (Veg): 30
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175
Tiempo de elevación: 20
Capacitancia de salida (Cc), pF: 35
Empaquetado / Estuche: TO263
B11C8.9.10.11C84