fgh60n60smd Igbt 600v 60a, Con Diodo Damper.original
$4.280 Neto
FGH60N60SMD
B9D7-825
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IGBT FGH60N60 600V, 60A(100ºC).Original. Con diodo damper.
Utilizando la nueva tecnología Field Stop IGBT, la serie de FairGB IGBT de Fairchild ofrece el FGH60N60 con un rendimiento óptimo para aplicaciones de calentamiento por inducción, UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
B7D10.11C22
2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor
Disipación total del dispositivo (Pc): 66
Tensión colector-emisor (Vce): 650
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.65
Tensión emisor-compuerta (Veg): 30
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175
Tiempo de elevación: 20
Capacitancia de salida (Cc), pF: 35
Empaquetado / Estuche: TO263
B11C8.9.10.11C84
Toshiba IGBT GT50JR22 600V,50A
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
B7C11-12C16
RJH60F7 600V 50A(100ºC) To-247 Original Maquina De Soldar
TRANSISTOR IGBT RJH60F7 PARA MAQUINAS DE SOLDAR ELECTRÓNICAS
90A a 25ºC, 50 A 100ºC, 600 VOLT.
B11D1-674
K40T1202, IKW40N120T2 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 480W
Descripción:
1. Tiempo de resistencia a cortocircuito – 10us
2. Diseñado para:
– Convertidores de frecuencia
– Suministro de energía ininterrumpida
3. TrenchStop® de segunda generación para aplicaciones de 1200 V ofrece:
– distribución de parámetros muy ajustada
– alta robustez, comportamiento estable a la temperatura
4. Capacidad de paralelismo fácil debido al coeficiente de temperatura positivo en VCE (sat)
5. Baja EMI
6. Carga baja de la puerta
7. Muy suave, recuperación rápida anti-paralelo Emitio controlado por emisor
8. Calificado según JEDEC1 para aplicaciones de destino
9. Recubrimiento de plomo sin Pb; RoHS
B8A1130