FZ2400R17KF6C_B2 Modulo IGBT 1700V

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FZ2400R17KF6C_B2 Modulo IGBT 1700V

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FZ2400R17KF6C_B2  Módulos IGBT N-CH 1.7KV 3.8KA

SKU: TD-FZ2400R17KF6C-B2 Categorías: , Etiquetas: ,

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Descripción

Caracteristicas:

Fabricante: Infineon
Categoría de producto: Módulos IGBT
Producto: IGBT Silicon Modules
Configuración: Triple Common Emitter Common Gate
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 1700 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 2.6 V
Colector de Corriente Continua a 25 C: 3800 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 400 nA
Dp – Disipación de potencia : 19.2 kW
Paquete / Cubierta: IHM190
Temperatura de trabajo mínima: – 40 C
Temperatura de trabajo máxima: + 125 C
Altura: 38 mm
Longitud: 190 mm
Ancho: 140 mm
Estilo de montaje: SMD/SMT
Máximo voltaje puerta-emisor: 20 V

Información adicional

Condition

TD-FZ2400R17KF6C-B2

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Ficha Tecnica