GT50J325 IGBT, 50 A 600 V.Toshiba
$5.490 Neto
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, conocido por su alta eficiencia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta simple de los MOSFET con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación de los transistores bipolares al combinar un FET de puerta aislada para la entrada de control y un transistor de potencia bipolar como interruptor, en un solo dispositivo.
B9A5C16
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Descripción
Especificaciones
| Atributo | Valor |
| Corriente continua máxima del colector | 50 A |
| Voltaje máximo del emisor del colector | 600 V |
| Voltaje máximo del emisor de puerta | ± 20 V |
| Tipo de paquete | TO-3PLH |
| Tipo de montaje | A través del orificio |
| Tipo de canal | norte |
| Número de pines | 3 |
| Configuración del transistor | Soltero |
| Dimensiones | 20,5 x 5,2 x 26 mm |
| Temperatura máxima de funcionamiento | +150 ° C |
| Temperatura mínima de funcionamiento | -55 ° C |
Información adicional
| Condition |
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