IRFP3006PBF MOSFET, 270 A, 60 V, 3-Pin TO-247
$6.290 Neto
IRFP3006PBF
Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 195A 375W TO247AC
Fabricante: IR, Tipo de transistor: N-MOSFET ,Tecnología: HEXFET, Polarización: unipolar
Voltaje de la fuente de drenaje: 60V, Corriente de drenaje: 195A, Disipación de energía: 375W
TO247AC, Voltaje de puerta-fuente: ± 20V, Resistencia en estado: 2.1mΩ
Montaje: THT
B12D2C25
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Descripción
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Maximum Continuous Drain Current
270 A
Tipo de Encapsulado
TO-247
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Tipo de montaje
Pasante
Profundidad
5.31mm
Altura
20.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
NC
Longitud
15.87mm
Transistor Configuration
Sencillo
Brand
Infineon
Series
HEXFET
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,5 mΩ
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Conteo de Pines
3 NA
Carga Típica de Puerta @ Vgs
200 nC a 10 V
Modo de Canal
Mejora
Tipo de Canal
No
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Tensión de diodo directa
1.3V
Información adicional
| Condition |
|---|
