K30n60h3, K30h603, Ikw30h603 Transistor Igbt. Original.

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 187W

Tensión colector-emisor (Vce): 600V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.95V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 60A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación:

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO247

B7D1342