MOSFET, IXFN360N10T, N-Canal, 360 A, 100 V, 4-Pin, SOT-227 IXYS
$25.980 Neto
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Descripción
Especificaciones
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 360 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-227 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 4 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 2,6 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.5V |
| Disipación de Potencia Máxima | 830 W |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 25.07mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 525 nC a 10 V |
| Altura | 9.6mm |
| Serie | GigaMOS Trench HiperFET |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Longitud | 38.23mm |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Información adicional
| Condition |
|---|
