RJP63F3A IGBT 630 40A
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RJP63F3A – 630V 40A N-ch IGBT – Renesas 630V 40A N-ch IGBT TO-220FL
B8A8.9C96
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Descripción
Descripción: Conmutación de potencia de alta velocidad del canal de Silicon N IGBT Caracteristicas :
• Puerta de trinchera y tecnología de obleas finas (serie G6H)
• Baja tensión de saturación de colector a emisor VCE (sat) = 1,7 V típ.
• Cambio de alta velocidad tf = 100 ns típico
• Baja corriente de fuga ICES = 1 μA máx.
• Paquete aislado TO-220FL JP63F3A = RJP63F3DPP-M0
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