SK45GH063 Módulo IGBT , Puente H, 45 A, 2.1 V, 150 °C.Semicron

SK45GH063 SEMITOP3 Módulo de transistores IGBT multinivel, 45 A máx., 600 V, Orificio pasante

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, conocido por su alta eficiencia y rápida conmutación. El IGBT combina las características simples de activación de compuerta de los MOSFET con la capacidad de alta corriente y baja saturación de voltaje de los transistores bipolares mediante la combinación de un FET de compuerta aislado para la entrada de control y un transistor de potencia bipolar como interruptor, en un solo dispositivo. dispositivo.