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Rectificación de red
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SK60GAR123 Modulo IGBT driver motor reversible SIP10 58 A, 1200 V.Semicron
SK60GAR123 Modulo IGBT driver motor reversible SIP10 58 A, 1200 V. Semicron
Modulo IGBT SKM400GAL12E4 Simple 618a 1.200v
SKD 110/16 Puente Rectificador trifásico 1.6 kV 150A, 5 Pines, 1.65V. SEMIKRON
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Rectificadores trifásicos para fuentes de alimentación, controladores de frecuencia variable, alimentaciones de campo para motores dc
BILB13
Carcasa de plástico resistente con terminales de conexión por tornillo
Placa base de metal aislada
Montaje en panel sencillo
Estos módulos de doble scr vienen en paquetes estándar de la industria que ofrecen tres circuitos diferentes. Los módulos se pueden usar individualmente o como bloques de construcción de control de potencia. Su alta eficiencia térmica asegura una larga vida útil y un rendimiento confiable. Seis tamaños de paquete diferentes permiten una corriente de salida máxima de 570 amperios para módulos scr estándar y 200 amperios para versiones de conmutación rápida. Los voltajes de bloqueo están disponibles hasta 3600 voltios para scr estándar y 1300 voltios para módulos de conmutación rápida. Los tiempos de conmutación son tan bajos como 18 microsegundos.
SK45GH063 Módulo IGBT , Puente H, 45 A, 2.1 V, 150 °C.Semicron
SK45GH063 SEMITOP3 Módulo de transistores IGBT multinivel, 45 A máx., 600 V, Orificio pasante
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, conocido por su alta eficiencia y rápida conmutación. El IGBT combina las características simples de activación de compuerta de los MOSFET con la capacidad de alta corriente y baja saturación de voltaje de los transistores bipolares mediante la combinación de un FET de compuerta aislado para la entrada de control y un transistor de potencia bipolar como interruptor, en un solo dispositivo. dispositivo.
