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    Lote 10 Unidades LM324N Amplificador operacional cuádruple, 3-32V, 50mA, DIP14

    Lote 15 Unidades LM324N Amplificador operacional cuádruple, 3-32V, 50mA, DIP14
    Lote 15 Unidades LM324N Amplificador operacional cuádruple, 3-32V, 50mA, DIP14Lote 15 Unidades LM324N Amplificador operacional cuádruple, 3-32V, 50mA, DIP14
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    Lote 10 Unidades LM324N Amplificador operacional cuádruple, 3-32V, 50mA, DIP14

    La linea de Amplificadores Operacionales LM324N consiste en alta ganancia, compensación de frecuencia interna diseñada para amplificadores operacionales para oprear en una fuente de alimentación simple sobre una amplia gama de voltajes.

    B11A1-6290

    $4.900 Neto
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    ULN2003A Microprocesador. Lote de 10 unidades. Encapsulado SMD

    Lote de 10 unidades Microprocesador ULN2003A. Encapsulado SMD
    Lote de 10 unidades Microprocesador ULN2003A. Encapsulado SMDLote de 10 unidades Microprocesador ULN2003A. Encapsulado SMD
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    ULN2003A Microprocesador. Lote de 10 unidades. Encapsulado SMD

    El ULN2003A es un array de siete transistores Darlington de alta tensión y alta corriente.

    B1A3200

    $4.900 Neto
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    LM324DR. Amplificador operacional. 32V 30mA. Pack 10 unidades

    LM324DR. Amplificador operacional. 32V 30mA. Pack 10 unidades
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    LM324DR. Amplificador operacional. 32V 30mA. Pack 10 unidades

    Amplificador operacional cuádruple con entradas diferenciales verdaderas. Está compuesto por cuatro amplificadores operacionales de alta ganancia, diseñados para trabajar con fuente de alimentación simple. Sin embargo, también son capaces de funcionar con una fuente de alimentación doble. Tiene ventajas sobre los amplificadores operacionales convencionales en aplicaciones de fuente sencilla de alimentación y puede trabajar con voltajes de alimentación desde 3V hasta 32V. Es de bajo consumo de energía.

    B11B1-2-3 200

    $4.900 Neto
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    G80N60UFD IGBT NPN,600V, 40A

    G80N60UFD Transistor IGBT NPN
    G80N60UFD Transistor IGBT NPNG80N60UFD Transistor IGBT NPN
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    G80N60UFD IGBT NPN,600V, 40A

    Ref.: TD-G80N60UFD
    Codigo fabricante: G80N60 UFD
    Tipo: IGBT ultrafast con diodo 
    Canal: N + diodo
    VCES: 600V
    IC: 40A
    ICM: 220A
    PD: 195W
    TJ: 150ºC
    TSTG: -55ºC a +150ºC
    Encapsulado: TO-3P

    B11C1.2C37

    $4.900 Neto
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    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor

    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor
    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor
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    2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor

    ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

    Disipación total del dispositivo (Pc): 66

    Tensión colector-emisor (Vce): 650

    Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.65

    Tensión emisor-compuerta (Veg): 30

    Corriente del colector DC máxima (Ic): 15

    Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

    Tiempo de elevación: 20

    Capacitancia de salida (Cc), pF: 35

    Empaquetado / Estuche: TO263

    B11C8.9.10.11C84

    $4.900 Neto
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    IRFZ48 original mosfet , 60 V, 50A. Pack 4 unidades

    IRFZ48 original mosfet , 60 V, 50A. Pack 4 unidades
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    IRFZ48 original mosfet , 60 V, 50A. Pack 4 unidades

    Transistor Mosfet original IRFZ48 60v 50a

    B12C7200

    $4.900 Neto
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    Circuito Integrado SC900509BVW

    Sensor de Velocidad
    Sensor de VelocidadSensor de Velocidad
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    Circuito Integrado SC900509BVW

    Circuito integrado de alta calidad.

    B12A912

    $4.928 Neto
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    FTP50N20R Mosfet 200V 50A TO-220 Pack 2 unidades

    FTP50N20R. Mosfet 200-220v 50a. Pack 2 unidades
    FTP50N20R. Mosfet 200-220v 50a. Pack 2 unidadesFTP50N20R. Mosfet 200-220v 50a. Pack 2 unidades
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    FTP50N20R Mosfet 200V 50A TO-220 Pack 2 unidades

    Transistor Mosfet FTP50N20R 200V 50A, TO-220

    B8D5.6C34

    $4.930 Neto
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    CR2450N Pila litio RENATA ORIGINAL 3V 540mAh.

    Pila botón litio RENATA ORIGINAL 3V 540mAh. Pack 2 unidades
    Pila botón litio RENATA ORIGINAL 3V 540mAh. Pack 2 unidadesPila botón litio RENATA ORIGINAL 3V 540mAh. Pack 2 unidades
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    CR2450N Pila litio RENATA ORIGINAL 3V 540mAh.

    Tiene una gran durabilidad.
    Acumula una gran densidad de energía.
    Tiene una corriente elevada de descarga.
    Tolera un gran rango de temperaturas: -40°C + 70°C.
    Ofrece un gran resistencia ante las fugas.

    BI5L4110

    $4.933 Neto
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    MF11CS50 MF1ICS50 Tarjeta de Proximidad Mifare 13.56Mhz. Dahua (5 unidades)

    Tarjeta de Proximidad Mifare Dahua. Lote 5 unidades
    Tarjeta de Proximidad Mifare Dahua. Lote 5 unidadesTarjeta de Proximidad Mifare Dahua. Lote 5 unidades
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    MF11CS50 MF1ICS50 Tarjeta de Proximidad Mifare 13.56Mhz. Dahua (5 unidades)

    Tarjeta de proximidad Mifare Dahua. Permite su programación en controles de accesos compatibles. Sirve como llave electrónica, material imprimible.

    BI5J3150

    $4.933 Neto
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    Mouse Pad Ergonomico Con Gel Klip Xtreme.

    Mouse Pad Ergonomico Con Gel Klip Xtreme.
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    Mouse Pad Ergonomico Con Gel Klip Xtreme.

    MousePad Ergonómico con Gel KlipXtreme KMP-100B Negro

    Características
    Alfombrilla ergonómica diseñada para usar con el mouse
    Gel con memoria: soporte relleno de gel, el cual se adapta perfectamente a la forma de la muñeca durante el uso
    Reduce los puntos de presión al fomentar la posición ergonómicamente correcta de la mano
    Su diseño único y redondeado complementa cualquier estación de trabajo
    Superficie con tela suave y muy duradera

    BI1*C47

    $4.950 Neto
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    FDPF12N5OUT. Transistor MOSFET. Pack de 3 unidades

    FDPF12N50UT. Transistor MOSFET. Pack de 3 unidades
    FDPF12N50UT. Transistor MOSFET. Pack de 3 unidadesFDPF12N50UT. Transistor MOSFET. Pack de 3 unidades
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    FDPF12N5OUT. Transistor MOSFET. Pack de 3 unidades

    Número de Parte: FDPF12N50T

    Tipo de FET: MOSFET

    Polaridad de transistor: N

    B11B13C37

    $4.950 Neto
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