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20j121 Gt20j121 Transistor Igbt N 600V 20A. Original. 2 Unidades
Vista Rápida20j121 Gt20j121 Transistor Igbt N 600V 20A. Original. 2 Unidades
$4.890 NetoB8B14C20
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SF20A300HPI . TRANSISTOR RECTIFICADOR 300V 20A. PACK 4 UNIDADES
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$4.896 NetoEl SF20A300HPI es un rectificador ultrarrápido. Tiene una baja caída de tensión directa y un tiempo de recuperación inverso (trr <30ns). El dispositivo está diseñado para usarse como rectificador de sujeción de rueda libre en una variedad de fuentes de alimentación de conmutación y otras aplicaciones de conmutación de energía.
B4B1150
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Circuito Integrado Lm3915 LOTE 2 UNIDADES
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$4.899 NetoCircuito Integrado LM3915-
Permite visualizar un V analogico con un V de referencia e un Display o LCD Vs: 25V
B8D7-12 96
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4407A LOTE 2 UNIDADES
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$4.899 NetoAO4407A 30V P-Channel MOSFET X2un
B8B3S11C30
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Lote 10 Unidades LM324N Amplificador operacional cuádruple, 3-32V, 50mA, DIP14
Vista RápidaLote 10 Unidades LM324N Amplificador operacional cuádruple, 3-32V, 50mA, DIP14
$4.900 NetoLa linea de Amplificadores Operacionales LM324N consiste en alta ganancia, compensación de frecuencia interna diseñada para amplificadores operacionales para oprear en una fuente de alimentación simple sobre una amplia gama de voltajes.
B11A1-6290
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ULN2003A Microprocesador. Lote de 10 unidades. Encapsulado SMD
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$4.900 NetoEl ULN2003A es un array de siete transistores Darlington de alta tensión y alta corriente.
B1A3200
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LM324DR. Amplificador operacional. 32V 30mA. Pack 10 unidades
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$4.900 NetoAmplificador operacional cuádruple con entradas diferenciales verdaderas. Está compuesto por cuatro amplificadores operacionales de alta ganancia, diseñados para trabajar con fuente de alimentación simple. Sin embargo, también son capaces de funcionar con una fuente de alimentación doble. Tiene ventajas sobre los amplificadores operacionales convencionales en aplicaciones de fuente sencilla de alimentación y puede trabajar con voltajes de alimentación desde 3V hasta 32V. Es de bajo consumo de energía.
B11B1-2-3 200
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G80N60UFD IGBT NPN,600V, 40A
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$4.900 NetoRef.: TD-G80N60UFD
Codigo fabricante: G80N60 UFD
Tipo: IGBT ultrafast con diodo
Canal: N + diodo
VCES: 600V
IC: 40A
ICM: 220A
PD: 195W
TJ: 150ºC
TSTG: -55ºC a +150ºC
Encapsulado: TO-3PB11C1.2C37
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2 Unidades RGT30NS65D-IGBT transistor semiconductor
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$4.900 NetoESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 66
Tensión colector-emisor (Vce): 650
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.65
Tensión emisor-compuerta (Veg): 30
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175
Tiempo de elevación: 20
Capacitancia de salida (Cc), pF: 35
Empaquetado / Estuche: TO263
B11C8.9.10.11C84
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IRFZ48 original mosfet , 60 V, 50A. Pack 4 unidades
Vista RápidaIRFZ48 original mosfet , 60 V, 50A. Pack 4 unidades
$4.900 NetoTransistor Mosfet original IRFZ48 60v 50a
B12C7200
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Circuito Integrado SC900509BVW
Vista RápidaCircuito Integrado SC900509BVW
$4.928 NetoCircuito integrado de alta calidad.
B12A912
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FTP50N20R Mosfet 200V 50A TO-220 Pack 2 unidades
Vista RápidaFTP50N20R Mosfet 200V 50A TO-220 Pack 2 unidades
$4.930 NetoTransistor Mosfet FTP50N20R 200V 50A, TO-220
B8D5.6C34
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